[发明专利]一种增强特殊分布缺陷检测的方法在审
| 申请号: | 202111433602.2 | 申请日: | 2021-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN114141649A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 金鑫;瞿燕;刘飞珏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 增强 特殊 分布 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述增强特殊分布缺陷检测的方法,包括:
执行步骤S1:在缺陷扫描机台进行缺陷扫描,以生成晶圆缺陷分布图;
执行步骤S2:对所述晶圆缺陷分布图进行图形算法处理,以判断所述晶圆缺陷分布图是否具有特殊分布缺陷图;
执行步骤S3:对不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆,根据相应制程之缺陷控制规范所设定的超出控制值和超出规范值按照第一规则进行随机样品检查判断;对具有特殊分布缺陷图的所述晶圆,进行图形算法处理,并对所述特殊分布缺陷图进行提取和分类,进而针对各种类型的特殊分布缺陷图匹配不同的超出控制值和超出规范值,按照第二规则进行特殊分布缺陷图之样品检查判断。
2.如权利要求1所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述增强特殊分布缺陷检测的方法,进一步包括:
执行步骤S4:按所述第一规则进行判断时,若不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆未触发报警,则对未触发报警的所述晶圆进行批放行;若不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆触发报警,则执行失控行动计划,对不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆进行随机样品检查判断;
执行步骤S5:按所述第二规则进行判断时,若具有特殊分布缺陷图的所述晶圆未触发报警,则对未触发报警的所述晶圆进行批放行;若具有特殊分布缺陷图的所述晶圆触发报警,则执行失控行动计划,对具有特殊分布缺陷图的所述晶圆进行样品检查。
3.如权利要求2所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述晶圆未触发报警即具有缺陷分布图或者具有特殊分布缺陷图的晶圆数量小于相应制程之缺陷控制规范所设定的超出控制值和超出规范值。
4.如权利要求2所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述晶圆触发报警即具有缺陷分布图或者具有特殊分布缺陷图的晶圆数量大于或者等于相应制程之缺陷控制规范所设定的超出控制值和超出规范值。
5.如权利要求1所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述增强特殊分布缺陷检测的方法进行样品检查判断即进行样品电镜影像取样检测,确认缺陷影像。
6.如权利要求1所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述特殊分布缺陷图为类型一之团簇型。
7.如权利要求1所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述特殊分布缺陷图为类型二之线型。
8.如权利要求1所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述特殊分布缺陷图为类型三之弧型。
9.如权利要求1所述增强特殊分布缺陷检测的方法,其特征在于,所述特殊分布缺陷图为类型四之扇型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111433602.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高性能高阻燃长寿特种光伏电缆
- 下一篇:一种跟腱康复辅助智能鞋
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





