[发明专利]一种激光芯片及光模块

说明书

本申请提供的激光芯片及光模块中，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光束，光栅区对光束进行波长调谐；电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层；本申请实施例中的电吸收调制区通过特殊设计进而实现25G信号调制速度，满足10公里传输距离要求。因此，本申请实施例中的激光芯片为一款集成增益、波长可调节、电信号调制功能于一身的芯片。

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种激光芯片及光模块。

背景技术

在当今光纤传输系统中，对光源的要求越来越高。高速、高集成度、波长可调谐的光源一直是业界研究的热点，其中与电吸收调制器集成的激光芯片随之而出，与电吸收调制器集成的激光芯片中存在这样的技术问题：一，信号调制速度基本上在10G处，不能达到25G的高信号调制速度，进而不能满足10公里传输需求；二，不能集成波长调节功能，导致在密集波分复用系统中大量不同信号的光源需要同时启用及维护。

发明内容

本申请实施例提供了一种激光芯片及光模块，通过将增益、波长可调节、电信号调制功能集成到一款芯片中，进而实现25G信号调制速度且8nm以上波长调节范围。

本申请实施例提供的一种激光芯片，包括：

增益区，用于产生光束；

光栅区，用于对来自所述增益区的光束进行波长调谐；

电吸收调制区，包括量子阱，所述量子阱包括相互堆叠的量子阱衬底层、第一异质结层、势阱和势垒层、第二异质结层、回置层和量子阱顶层，其中所述量子阱衬底层和金属电极之间、所述回置层和金属电极之间、所述量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层，用于对来自所述光栅区的光束进行信号调制。

本申请实施例提供的光模块包括上述激光芯片。

有益效果：本申请提供的激光芯片及光模块中，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光子且被放大，光栅区对被放大的光波进行选频，电吸收调制区对特定的波长进行调制，然后实现特定波长激光的输出；光栅区可输出不同波长的光束；且电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层，二氧化硅层的设置可以调整芯片电容，获得较小的寄生电容，进一步提高信号调制速度；本申请实施例中的电吸收调制区通过特殊设计进而实现25G信号调制速度，满足10公里传输距离要求。因此，本申请实施例中的激光芯片为一款集成增益、波长可调节、电信号调制功能于一身的芯片，对光纤传输系统有着重要的意义。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的一种光通信系统的连接关系图；

图2为根据一些实施例的一种光网络终端的结构图；

图3为根据一些实施例的一种光模块的结构图；

图4为根据一些实施例的一种光模块的分解图；

图5为根据一些实施例的一种激光芯片的外观示意图；

图6为根据一些实施例的一种激光芯片的外沿生长结构示意图；

图7为根据一些实施例的激光芯片中电吸收调制区的量子阱结构示意图；