[发明专利]一种激光芯片及光模块

权利要求书

1.一种激光芯片，其特征在于，包括：

增益区，用于产生光束；

光栅区，用于对来自所述增益区的光束进行波长调谐；

电吸收调制区，包括量子阱，所述量子阱包括相互堆叠的量子阱衬底层、第一异质结层、势阱和势垒层、第二异质结层、回置层和量子阱顶层，其中所述量子阱衬底层和金属电极之间、所述回置层和金属电极之间、所述量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层，用于对来自所述光栅区的光束进行信号调制。

2.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述增益区包括相互堆叠的InP垫层、波导层、增益量子阱结构层和p型掺杂InP层；

所述光栅区包括相互堆叠的InP垫层、光栅层和波导层；

所述电吸收调制区包括相互堆叠的InP垫层和量子阱结构层；

其中，所述光栅区的波导层为所述光栅区的顶层，所述电吸收调制区的量子阱结构层为所述电吸收调制区的顶层；

所述增益区的波导层、所述光栅区的波导层和所述电吸收调制区的量子阱结构层处于同一层。

3.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述增益区与所述光栅区之间设置有第一隔离区，所述光栅区与所述电吸收调制区之间设有第二隔离区。

4.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述量子阱衬底层为n型InP衬底，所述第一异质结层、势阱和势垒层、第二异质结层均设为光致发光峰为1170nm的InGaAsP材料，所述回置层为InP材料，所述量子阱顶层为p型InP材料；

其中所述势阱和势垒层包括势阱区和势垒区，所述势阱区具有0.6-0.8％的压缩量，且包括8组势阱，所述势垒区具有0.2-0.4％的松弛量且包括8组势垒。

5.根据权利要求4所述的激光芯片，其特征在于，所述增益区长度为375μm，所述光栅区长度为150μm，所述电吸收调制区长度为110μm，所述第一隔离区长度为45μm，所述第二隔离区长度为80μm。

6.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述光栅区包括光栅层和波导层，所述光栅层材料为光致发光峰值为1250nm的InGaAsP材料，厚度为300A，所述波导层材料为光致发光峰值为1380nm的InGaAsP材料，厚度为2900A。

7.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为5000A。

8.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述光栅层为全息曝光而成的分布式布拉格反射光栅。

9.一种光模块，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的激光芯片。