[发明专利]一种抛光方法、装置、存储介质、模组及机台

权利要求书

1.一种抛光方法，其特征在于，包括：

获取待抛光工件的结构信息（501）；其中，所述抛光过程启动后，所述工件与抛光垫/片接触并作相对运动，所述工件和/或所述抛光垫/片绕垂直于所述工件表面的轴转动；所述结构信息（501）包括所述工件各重复结构单元（111）沟道的信息和薄膜分层的信息；其中，所述沟道至少包括第一沟道（301）和第二沟道（302）；所述第一沟道（301）中填充有第一填充物（105），所述第二沟道（302）中填充有第二填充物（106）；

获取所述工件各重复结构单元（111）状态信息；其中，所述薄膜分层至少包括一组合介质层（203）和一单列介质层（100）；所述组合介质层（203）的第一介质层（101）与所述单列介质层（100）固接或所述第一介质层（101）填充/沉积于所述单列介质层（100）之上；所述组合介质层（203）的最后/最外一层为第N介质层（104），N大于2或等于2；所述第N介质层（104）在抛光制程启动前与所述抛光垫/片相邻接；所述单列介质层（100）固化/沉积于所述工件远离所述抛光垫/片一侧的其它介质或衬底之上；所述第一组合介质层（203）的各层介质自所述第一介质层（101）依次固化或沉积于所述第一单列介质层（100）之上直至所述第N介质层（104）；

以所述第一单列介质层（100）为终止层（202），采用第一抛光控制策略/制程对所述工件进行抛光；其中所述第一抛光控制策略/方法通过检测所述抛光垫/片与所述工件之间的摩擦力/力矩间接判断所述工件当前与所述抛光垫/片所接触的介质层；

依所述第一抛光控制策略/制程抛光至所述第一单列介质层（100）；再采用第二抛光控制策略/制程抛光由所述第一单列介质层（100）、所述第一填充物（105）和所述第二填充物（106）构成的工作面直至达到预设的抛光时间/厚度。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述第一组合介质层（203）的最后/最外一层（104）固化或沉积于所述第一沟道（301）和/或第二沟道（302）的侧墙和底面之上；

所述第一填充物（105）和所述第二填充物（106）填充于所述第一沟道（301）和所述第二沟道（302）内的所述第一组合介质层（203）的最后/最外一层（104）之上并填满所述第一沟道（301）和所述第二沟道（302）；

所述第一填充物（105）与所述第二填充物（106）为同一材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

所述第一填充物（105）与所述第二填充物（106）均为常温下固态的导电材料；所述第一填充物（105）与所述第二填充物（106）常温的电阻率小于铝金属在常温的电阻率。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

所述第一填充物（105）与所述第二填充物（106）为金属铜或含铜超过预设比例的导电材料、合金或聚合物。

5.如权利要求1-4所述的方法，其中：

所述第一组合介质层（203）的每一层与所述抛光垫/片的摩擦系数不同或相同；所述第一组合介质层（203）的每相邻两层所述介质层分别与所述抛光垫/片的摩擦系数/力矩不同或符合预设的分布规律（222）。

6.如权利要求5所述的方法，其中：

所述抛光垫/片与所述第N介质层（104）之间敷设或喷洒有第一研磨/第一清洗介质。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

所述第一单列介质层（100）为介电质层；所述介电质层具有超低或超高介电常数（k）。

8.如权利要求6或7所述的方法，其中：

所述第一介质层（101）采用NDC（SiCN）材料填充/沉积；

所述第二介质层（102）采用无氮抗反射涂层NFDARC材料填充/沉积；

所述第三介质层（103）采用TiN材料填充/沉积；

所述第四介质层（104）采用Ta或TaN材料填充/沉积。