[发明专利]一种碳化硅基多孔陶瓷过滤膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111423601.X 申请日: 2021-11-26
公开(公告)号: CN113999045B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 李昊;彭瑞超;刘纪根;任斐鹏;孙宝洋 申请(专利权)人: 长江水利委员会长江科学院
主分类号: C04B38/06 分类号: C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/80;C04B35/64;C04B35/636
代理公司: 武汉楚天专利事务所 42113 代理人: 孔敏
地址: 430010 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 基多 陶瓷 滤膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化硅基多孔陶瓷过滤膜的制备方法,其特征在于:以碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂、溶剂、添加剂和聚氨酯泡沫为原料;

其中成孔剂为淀粉、壳聚糖中的一种或两种;

粘结剂是由硅酸盐溶液、甲基纤维素中的一种或几种构成;

分散剂是由六偏磷酸钠、柠檬酸纳、三乙醇胺、聚甲基丙烯酸胺中的一种或几种构成;

溶剂是由水、乙醇或水和乙醇形成的混合物中的一种或几种构成;

添加剂为氧化钨和氧化镧粉的混合物;

得到的碳化硅基多孔陶瓷过滤膜由碳化硅基支撑体、碳化硅基过渡层和碳化硅基膜层组成;

碳化硅基支撑体的制备过程为:将碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂和溶剂湿法研磨混合均匀,得到碳化硅基陶瓷浆料,将一定尺寸的聚氨酯泡沫置于浆料中,并超声处理,得到填充了碳化硅基浆料的聚氨酯泡沫复合材料,将其在一定温度下充分干燥后,置于马弗炉中进行烧结,即得到具有多级孔结构的碳化硅基支撑体;

碳化硅基过渡层的制备过程为将碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂、溶剂和添加剂湿法研磨混合均匀,并超声处理,得到碳化硅基陶瓷浆料,将上述浆料均匀涂覆在碳化硅基支撑体上表面,并在一定温度下干燥后在马弗炉中烧结即获得碳化硅基过渡层;

碳化硅基膜层的制备过程为将碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂和溶剂湿法研磨混合均匀,并超声处理,得到碳化硅基陶瓷浆料,将上述浆料均匀涂覆在碳化硅基过渡层上表面,并在一定温度下干燥后在马弗炉中烧结即获得碳化硅基膜层;所述碳化硅基膜层中的粘结剂为甲基纤维素。

2.根据权利要求1所述的碳化硅基多孔陶瓷过滤膜的制备方法,其特征在于:所述碳化硅基支撑体中碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂和溶剂按照重量份配比为85~77份:10~5份:8~12份:1~4份:1~3份:15~30份。

3.根据权利要求1所述的碳化硅基多孔陶瓷过滤膜的制备方法,其特征在于:碳化硅基支撑体的制备过程中,超声的时间为30~60分钟;干燥的温度为50~80℃;烧结的温度为1300~1500℃。

4.根据权利要求1所述的碳化硅基多孔陶瓷过滤膜的制备方法,其特征在于:所述碳化硅基过渡层中碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂、溶剂和添加剂按照重量份配比为85~77份:10~5份:8~12份:1~4份:1~3份:15~30份:0.05~0.1份;超声时间为30~60分钟;干燥温度为50~80℃;烧结温度为1200~1400℃。

5.根据权利要求1所述的碳化硅基多孔陶瓷过滤膜的制备方法,其特征在于:所述碳化硅基膜层中碳化硅粉、粉煤灰、成孔剂、粘结剂、分散剂和溶剂按照重量份配比为85~77份:10~5份:8~12份:1~4份:1~3份:15~30份。

6.根据权利要求1所述的碳化硅基多孔陶瓷过滤膜的制备方法,其特征在于:碳化硅基膜层的制备过程中,超声时间为30~60分钟;干燥温度为50~80℃;烧结温度为1200~1400℃。

7.一种碳化硅基多孔陶瓷过滤膜,其特征在于采用权利要求1~6中任一项所述的方法制备得到。

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