[发明专利]栅极驱动保护电路、系统及车载逆变器系统在审

专利信息
申请号: 202111412656.0 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114204834A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 彭静;袁成保;郑春阳 申请(专利权)人: 智新控制系统有限公司
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537;H02M1/088;H02H7/122;H02H3/08;H02H3/24;H02H11/00
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 韩梦晴
地址: 430000 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 保护 电路 系统 车载 逆变器
【说明书】:

本申请涉及一种栅极驱动保护电路、系统及车载逆变器系统,该栅极驱动保护电路包括栅极驱动模块、故障信号输出模块、欠压保护模块、短路保护模块、误导通保护模块及恒流输出模块;栅极驱动模块包括驱动芯片;故障信号输出模块用于与驱动芯片及微控制单元电连接,用于输出故障信号;欠压保护模块的一端与驱动芯片电连接,另一端与故障信号输出模块电连接,用于对驱动芯片的输入电压进行欠压保护;短路保护模块与驱动芯片电连接,且用于对驱动芯片进行短路保护;误导通保护模块与驱动芯片电连接,用于防止开关晶体管误导通;恒流输出模块与驱动芯片电连接,用于输出稳定电流;因此该电路系统稳定性更强,性能更优化,电路不易损坏和报废。

技术领域

本申请涉及电路保护技术领域,特别涉及一种栅极驱动保护电路、系统及车载逆变器系统。

背景技术

由于现在科技的发展,电子器件正向高密度化,大功率,小型化发展,大规模运用电子器件给我们的生活带来了便利的同时,越来越高功率使得电子器件的散热问题愈发严重。因此散热是一项非常关键的技术,散热性能的好坏直接影响着产品的性能和寿命。最早IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor-绝缘栅双极型晶体管)双面水冷技术(DSC,Dual-sided Cooling Technology)是基于新能源汽车应用开发,主要是为了解决车载逆变器功率密度问题,用于改善模块的散热效果。

而栅极驱动器作为双面水冷技术的关键器件,栅极驱动器作为功率放大器,其接收来自控制器的低功率输入,并产生用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的栅极的高电流驱动输入;而现有电路保护性能不够,栅极驱动器在工作时不能很好地应对电路短路欠压等故障,系统稳定性和可靠性不强,电路易损坏从而导致报废。

发明内容

本申请实施例提供一种栅极驱动保护电路、系统及车载逆变器系统,可实现对电路的欠压保护、短路保护、开关晶体管误导通保护及恒流输出保护,系统稳定性更强,性能更优化,电路不易损坏和报废。

第一方面,提供了一种栅极驱动保护电路,包括栅极驱动模块、故障信号输出模块、欠压保护模块、短路保护模块、误导通保护模块及恒流输出模块;栅极驱动模块包括驱动芯片;故障信号输出模块用于与所述驱动芯片及微控制单元电连接,用于输出故障信号;欠压保护模块的一端与所述驱动芯片电连接,另一端与所述故障信号输出模块电连接,用于对所述驱动芯片的输入电压进行欠压保护;短路保护模块与所述驱动芯片电连接,且用于对驱动芯片进行短路保护;误导通保护模块与所述驱动芯片电连接,用于防止开关晶体管误导通;恒流输出模块与所述驱动芯片电连接,用于输出稳定电流。

一些实施例中,所述故障信号输出模块包括第一控制引脚、三极管及第一电阻;所述第一控制引脚与所述驱动芯片电连接的;所述三极管的集电极用于与微控制单元电连接,所述三极管的基极与所述第一控制引脚电连接,所述三极管的发射极与所述第一电阻的一端电连接,所述第一电阻的另一端接地。

一些实施例中,所述欠压保护模块包括第二控制引脚、第三控制引脚及电容;所述第二控制引脚与所述第三控制引脚均与所述驱动芯片电连接,所述第二控制引脚接电源;所述电容的一端与所述第二控制引脚电连接,所述电容的另一端与所述第一电阻的另一端共地。

一些实施例中,所述短路保护模块包括与所述驱动芯片电连接的第四控制引脚、与所述第四控制引脚电连接的过滤器及与所述过滤器电连接的第二电阻,所述第二电阻接地。

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