[发明专利]冷却出气组件、冷却装置及激光退火设备在审
| 申请号: | 202111407078.1 | 申请日: | 2021-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN114203538A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 李杰;王建;袁果;郭浩 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 贾晓敏 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 冷却 出气 组件 装置 激光 退火 设备 | ||
1.一种冷却出气组件,用于对激光退火设备中工艺腔室(20)的密封盖(22)进行冷却,其特征在于,包括匀流腔室(100),所述匀流腔室(100)内围成匀流腔体(110),所述匀流腔体(110)沿第一方向包括进气区(111)、匀流区(112)和出气区(113),所述匀流腔室(100)与所述进气区(111)相应的腔壁设有进气孔(121),所述匀流腔室(100)与所述出气区(113)相应的腔壁设有多个出气孔(142)。
2.根据权利要求1所述的冷却出气组件,其特征在于,所述匀流腔室(100)包括盖板(120)、底板(130)和侧围板(140),所述侧围板(140)围设于所述盖板(120)与所述底板(130)之间;
所述进气孔(121)设于所述盖板(120)与所述进气区(111)相应的区域;和/或,所述出气孔(142)设于所述侧围板(140)与所述出气区(113)相应的区域。
3.根据权利要求2所述的冷却出气组件,其特征在于,沿所述第一方向,所述侧围板(140)背离所述进气区(111)的围板段为条形板(141);
多个所述出气孔(142)均设于所述条形板(141),且多个所述出气孔(142)沿所述条形板(141)的长度方向均匀间隔排布;和/或,所述进气孔(121)位于所述盖板(120)背离所述条形板(141)的边缘区域。
4.根据权利要求2所述的冷却出气组件,其特征在于,所述盖板(120)与所述底板(130)平行设置,于所述盖板(120)的延伸面,沿与所述第一方向垂直的第二方向,所述进气孔(121)位于所述盖板(120)的中部位置,所述进气孔(121)连接有进气接头(150),所述进气接头(150)与所述盖板(120)的延伸面之间的夹角为85°-90°。
5.根据权利要求1-4任一项所述的冷却出气组件,其特征在于,所述匀流腔体(110)内设有过滤层(200),所述过滤层(200)隔挡于所述进气孔(121)与所述出气孔(142)之间。
6.根据权利要求5所述的冷却出气组件,其特征在于,所述过滤层(200)位于所述匀流区(112),且所述过滤层(200)的延伸面与所述第一方向垂直设置。
7.根据权利要求1-4任一项所述的冷却出气组件,其特征在于,所述匀流腔室(100)与所述进气区(111)及所述匀流区(112)相应区域的拐角处形成倾斜导流角(160);
或,所述匀流腔室(100)与所述进气区(111)及所述匀流区(112)相应的区域平滑过渡连接。
8.一种冷却装置,其特征在于,包括供气组件、温度调节组件、温度检测组件、处理器和权利要求1-7任一项所述的冷却出气组件(40),且所述温度检测组件、所述温度调节组件及所述供气组件均与所述处理器连接;所述冷却出气组件(40)的进气孔(121)与所述供气组件通过进气管路连接,所述温度调节组件与所述供气组件或所述进气管路连接,用于调节流经气体的温度;所述温度检测组件用于检测密封盖(22)的温度。
9.一种激光退火设备,其特征在于,包括工作台(10)、工艺腔室(20)、加热组件(30)和权利要求8所述的冷却装置,所述工艺腔室(20)包括设于所述工作台(10)的工艺腔体(21)和封盖于所述工艺腔体(21)顶部开口的密封盖(22),所述加热组件(30)的加热部(31)位于所述工艺腔体(21)内;所述冷却装置的冷却出气组件(40)设于所述工作台(10),且所述冷却出气组件(40)的出气孔(142)朝向所述密封盖(22);所述冷却装置的温度检测组件设于所述密封盖(22)。
10.根据权利要求9所述的激光退火设备,其特征在于,所述加热部(31)的底部连接有延伸筒(32),所述延伸筒(32)的底端作为进气端(33)伸出所述工艺腔体(21)的腔底壁,所述延伸筒(32)位于所述工艺腔体(21)内的筒壁设有输气孔(34),所述工艺腔体(21)的腔侧壁设有排气孔(23)。
11.根据权利要求10所述的激光退火设备,其特征在于,所述排气孔(23)位于所述工艺腔体(21)的顶部区域,所述输气孔(34)位于所述工艺腔体(21)的底部区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





