[发明专利]一种柔性有机发光半导体器件阳极结构在审
| 申请号： | 202111406825.X | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114039014A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 姚婷婷;马立云;沈洪雪;李刚;王天齐;彭塞奥;杨扬;金克武;徐佳馨;王金磊;王东;鲍田;苏文静;甘治平 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 233010 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 有机 发光 半导体器件 阳极 结构 | ||
1.一种柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，包括:
一柔性基底，所述柔性基底的上表面覆盖有一第一金属氧化物层；
一合金层，所述合金层位于所述第一金属氧化物层上方并覆盖所述第一金属氧化物层的上表面；
一金属层，所述金属层位于所述合金层上方并覆盖所述合金层的上表面，通过所述合金层隔离所述金属层和所述第一金属氧化物层并促进所述金属层连续成膜；
一第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层位于所述金属层上方并覆盖所述金属层的上表面，通过所述第二金属氧化物层隔离所述金属层与外部空气；
所述柔性基底、所述第一金属氧化物层、所述合金层、所述金属层和所述第二金属氧化物层组成一柔性有机发光半导体器件阳极。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED器件阳极结构，其特征在于，所述第一金属氧化物层为ZnO、SnO2、BZO、AZO、GZO、IGZO、IZO、CTO、ZTO、FTO薄膜中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，所述合金层为NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的一种与Ag金属合成得到的合金薄膜。
4.根据权利要求1所述的柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，所述合金层为NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属中的至少一种与Ag金属合成的合金靶材。
5.根据权利要求1所述的柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，所述合金层为NiCr、Cu、Ti、Al、Sn、Pb、Fe、Zn、Mg、Mo、In金属薄膜中的一种。
6.根据权利要求1所述的柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，所述金属层为Ag薄膜。
7.根据权利要求1所述的柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，所述第二金属氧化物层为BZO、AZO、GZO、IGZO、IZO、CTO、ZTO、FTO薄膜中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的柔性有机发光半导体器件阳极结构，其特征在于，所述柔性基底为柔性超薄玻璃或高分子材料或金属箔或塑料膜。
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