[发明专利]无缺陷氧化石墨烯及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种无缺陷氧化石墨烯的制备方法，其特征在于包括：

使碳源在酸性条件下发生第一水热反应获得具有酸性碳链结构的石墨烯量子点；

使所述石墨烯量子点与胺类物质发生第二水热反应获得氨基化石墨烯量子点；

使包含所述氨基化石墨烯量子点、氧化石墨烯、分散剂的第三混合体系混合反应，以使所述氨基化石墨烯量子点所含胺基团与氧化石墨烯表面的含氧官能团键合，从而获得无缺陷氧化石墨烯。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：使包含碳源、酸和第一溶剂的第一混合体系发生第一水热反应获得所述的石墨烯量子点，其中，所述第一水热反应的温度为150-200℃、时间为1-5h、压力为0.5-2Mpa。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述碳源、酸和第一溶剂的质量比为(1-50):(0.1-10)：100；

优选的，所述碳源包括单糖；优选的，所述碳源包括葡萄糖、果糖、半乳糖中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述酸包括硫酸；优选的，所述酸包括98％浓硫酸；优选的，所述第一溶剂包括去离子水；

优选的，所述第一混合体系的pH值为1-5。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：使包含所述石墨烯量子点、胺类物质和第二溶剂的第二混合体系发生第二水热反应获得所述的氨基化石墨烯量子点，其中，所述第二水热反应的温度为150-200℃、时间为1-5h、压力为0.5-2Mpa。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述石墨烯量子点、胺类物质和第二溶剂的质量比为(1-10):(1-10):100；

优选的，所述胺类物质包括邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述第二溶剂包括去离子水。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：使包含所述氨基化石墨烯量子点、氧化石墨烯、分散剂、第三溶剂的第三混合体系反应形成所述的无缺陷氧化石墨烯；

优选的，所述氨基化石墨烯量子点、分散剂、第三溶剂与氧化石墨烯的质量比为(1-50)：(0.5-3)：(100-1000):100；

优选的，所述反应的温度为30-50℃、压力为100-1000Pa，优选的，所述反应的时间为3-8h；

优选的，所述氧化石墨烯的比表面积为500-1500M²/g，碳/氧质量比为1-2:1；优选的，所述分散剂包括BYK310、BYK190、氰特6208、SN5040中的任意一种或两种以上的组合；

优选的，所述第三溶剂包括去离子水。

7.由权利要求1-6中任一项所述的无缺陷氧化石墨烯的制备方法制备的无缺陷氧化石墨烯。

8.一种散热膜的制备方法，其特征在于包括：

提供包含由权利要求1-6中任一项所述的无缺陷氧化石墨烯的制备方法制备的无缺陷氧化石墨烯或权利要求7所述的无缺陷氧化石墨烯的浆料；

将所述无缺陷氧化石墨烯的浆料制作形成散热膜前体，之后依次对所述散热膜前体进行碳化、石墨化处理，从而形成所述的散热膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述碳化处理的石墨化处理的温度为800-1300℃，时间为0.5-3h；优选的，所述石墨化处理的温度为2000-2950℃，时间为2-8h。

10.由权利要求8或9所述的散热膜的制备方法制备获得的散热膜。