[发明专利]一种原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法在审
申请号: | 202111395440.8 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114203944A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 郑燕琼;陈俊聪;陈与欢;陈维安;李维光 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原位 多孔 增透膜 有机 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将一定分子量的折射率与玻璃接近的聚合物与有机溶剂以设定质量比混合,搅拌溶解;配置饱和盐溶液,在密闭环境中和固定温度下控制静态相对湿度为40~95%;
(2)在饱和盐溶液上方放置提前清洗干净的导电基板,待相对湿度稳定后,取50μL~80uL聚合物溶液均匀滴涂在基板非导电侧表面,待溶剂自然挥发后得到多孔膜;
(3)将制备好的多孔膜在50~80℃条件下退火人处理10~30min干燥,得到多孔增透膜;
(4)多孔增透膜连同导电基板一起采用合适有机溶剂清洗干净,在基板导电侧表面原位真空蒸镀红光、绿光、蓝光等有机发光二极管。
2.根据权利要求1所述原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,所述聚合物为数均分子量为2×104~5×105,所述聚合物采用聚苯乙烯(PS)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与聚碳酸酯(PC)和嵌段共聚物中的任意一种或任意几种的混合物。
3.根据权利要求1所述原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,所述有机溶剂采用二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、四氢呋喃、二硫化碳等中的一种或几种;所述聚合物溶液质量比为0.5%~3.0%。
4.根据权利要求1所述原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,所述饱和盐溶液的溶质盐为碳酸钾、硝酸镁、碘化钾、氯化钠、氯化钾、硝酸钾中的任意一种或任意几种的混合物,湿度在40%~95%范围内可控。
5.根据权利要求1所述原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述导电基板的材料采用ITO、FTO、AZO、IZO、PET/ITO、PI/ITO中的至少一种。
6.根据权利要求1所述原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,制得的多孔聚合物增透膜具有从纳米到微米宽范围可调的多孔周期结构,平均孔径范围为0.1~5.0um,平均孔深范围为0.01~3.0um,平均孔隙率范围为20%~50%。
7.根据权利要求1所述原位多孔增透膜及有机发光二极管的制备方法,其特征在于,步骤如下:首先超声清洗包含多孔增透膜的导电基板,干燥,使导电基板的导电侧朝上UV-O3处理15~30分钟;
然后将基板导电侧朝下放置于真空蒸镀室中,依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层;更换掩模版,在所述电子注入层上蒸镀金属阴极,制备得到有机发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择