[发明专利]发光二极管及发光装置

说明书

本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极位于外延结构上且电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构上且电连接第二半导体层，第二电极包括起始部和连接于起始部的延伸部，延伸部具有弧形部，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，弧形部具有第一弧形边与第二弧形边，第一弧形边的第一曲率半径小于第二弧形边的第二曲率半径，第一弧形边和第二弧形边朝向同一方向，第一弧形边的圆心到第二弧形边的圆心的距离小于等于5μm。借此，可加宽转角处弧形部的宽度，改善弧形区域的电流拥堵状况，增加载流子的注入面积，避免转角处烧伤。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。发光二极管具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域，同时这些应用也对LED的亮度、发光效率提出了更高的要求。

目前的LED芯片在金属电极(pad)连接指状电极(finger)的地方容易聚集较高浓度的载流子，造成电流拥堵，特别是在长期老化过程中，该电流拥堵处存在烧伤的风险，最终导致LED芯片性能降低甚至损坏。

因此，如何优化延展电极的图形化设计已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题之一。

发明内容

本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极。

外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。第一电极位于外延结构上，且电连接第一半导体层。第二电极位于外延结构上，且电连接第二半导体层。第二电极包括起始部和连接于起始部的延伸部，延伸部至少具有一弧形部。其中，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，弧形部具有相对的第一弧形边与第二弧形边，第一弧形边具有第一曲率半径，第二弧形边具有第二曲率半径，第一曲率半径小于第二曲率半径，第一弧形边和第二弧形边朝向同一方向，第一弧形边的圆心到第二弧形边的圆心的距离小于等于5μm。

在一实施例中，所述第一弧形边是截取自第一圆上的部分圆弧，所述第二弧形边是截取自第二圆上的部分圆弧，所述第一弧形边与所述第二弧形边的圆心分别是所述第一圆与所述第二圆的圆心。

在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第一弧形边的圆心与所述第二弧形边的圆心重合。

在一实施例中，所述第一弧形边的圆心到所述第二弧形边的圆心的距离大于等于1μm。

在一实施例中，所述第一弧形边的弧长小于等于所述第一圆的周长的1/4，所述第二弧形边的弧长小于等于所述第二圆的周长的1/4。

在一实施例中，所述第一圆内切于所述第二圆。

在一实施例中，将所述第一圆和所述第二圆的交点定义为第一点，所述第二圆上距离所述第一点最远的点定义为第二点，第一点与第二点的连线定义为竖直线段，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，过所述第二点且垂直于所述竖直线段的直线穿过所述起始部的几何中心点。

在一实施例中，所述第一弧形边的弧长占所述第一圆的周长的比例小于所述第二弧形边的弧长占所述第二圆的周长的比例。

在一实施例中，从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述第一圆的圆心、所述第二圆的圆心和所述起始部的几何中心点位于同一直线上。