[发明专利]一种三端结构具有光谱自适应的光电系统有效
申请号: | 202111387837.2 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN114141890B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 郭宏亮;薛超;孙强;张启明;刘如彬;张恒;姚立勇 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/0687 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 蒙建军 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 具有 光谱 自适应 光电 系统 | ||
1.一种三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,至少包括:
实现光电转换功能的电源模块(3),所述电源模块包括光电池;在所述光电池上设有三个输出电极;所述三个输出电极分别为负极、正极和位于外延层中部电极;
通过切换开关(4)与外延层中部电极连接的电流测量线路、功率输出线路和功率输入线路;
获取电源模块状态参数的采集模块;
接收采集模块的数据,对所述数据进行分析,根据分析结果控制切换开关工作状态的信息处理模块;其中:
所述中部电极与切换开关的静触点连接;所述切换开关的三个动触点分别与电流测量线路、功率输出线路和功率输入线路连接;所述分析的过程为:
在光电池的负极和正极之间设置电流表,定义读数为I,设当中部电极和正极间为开路时,负极至正极输出条件下最大功率点对应的电流为Im,当负极至正极和中部电极至正极均短路时,中部电极至正极通过的电流为Ip,且设置电流方向从中部电极到正极为正;则考虑如下两类情况:
第一大类:Ip≥0;对应中部电极至正极之间子电池具有过剩电流的情况;
(1)IImIp0;此时属于两端供能状态,也是目前光电池常规工作状态;
(2)ImIIp0;此时上两子电池发光耦合强,使得第三结电池效率增加,是三端电池理想工作状态;
(3)IpIm0;此时中部电极至正极子电池具有很大的过剩电流,从中部电极至正极主输出获得更大的功率,而负极至正极用于辅助输出;
(4)Ip=0;此时是三结电池最理想的电流匹配状态,两端输出,中部电极输出电流为零时系统效率最大;
第二大类:Ip0;对应于子电池电流不足的情况;
(a)ImIp的情况,此时需要额外的电流进行补充;
(b)IpIm的情况,此时电池大限流状态,从中部电极至负极主输出获得更大的功率,而中部电极至正极用于辅助输出;
根据上述分析,将负极连接电流表,然后连接负载,实时探测电流值并反馈给计算机,计算机根据电流值确定电池工作状态,确定输出的电流值反馈给线路切换开关和/或电流源,线路开关按照计算机命令进行线路却换,电流源按照设定向电池中部电极输出电流。
2.根据权利要求1所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述采集模块包括:
与负极连接的电流采集器(2);
安装于电流测量线路上的电流采样器(1)。
3.根据权利要求1所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述光电池为多结太阳电池,表面积不大于200cm2;或所述光电池为多结太阳电池组,表面积和不大于200cm2。
4.根据权利要求1所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述功率输出线路为蓄电池电路,所述功率输入线路为电流源电路。
5.根据权利要求1所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述光电池的上方为双电极结构,下方为太阳电池面电极结构,中部电极位于双电极结构上,电极宽度为0.01~0.5mm。
6.根据权利要求1所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述光电池的下方为双电极结构,上方为太阳电池栅线结构,中部电极位于双电极结构上,电极宽度为0.05~1.5mm。
7.根据权利要求5或6所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,外延层中部电极和同一面上的电极之间具有空隙,同电极栅线间间距为1~3mm。
8.根据权利要求1所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述光电池由三个子电池组成,分别为GaInP、GaAs和InGaAs。
9.根据权利要求8所述的三端结构具有光谱自适应的光电系统,其特征在于,所述光电池的外延结构中设置有横向传输层和渐变缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的