[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元，包括：

硅基体(1)；

钝化介质层(2)，其设置在所述硅基体(1)上；

第一硅层(3)、第二硅层(4)和第三硅层(5)，其依次设置在所述钝化介质层(2)的背向所述硅基体(1)的表面上并彼此接触；以及

金属接触电极(6)，其穿过所述第三硅层(5)和所述第二硅层(4)而与所述第一硅层(3)直接接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其中，

所述第一硅层(3)为掺杂的多晶硅层，

所述第二硅层(4)为未掺杂的微晶硅层、非晶硅层、多态硅层中的一种或者多种的单层或叠层，

所述第三硅层(5)为掺杂的微晶硅层、非晶硅层、多态硅层中的一种或者多种的单层或叠层，并且

所述第一硅层(3)和所述第三硅层(5)具有相同的掺杂类型，所述掺杂类型为n型或p型。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，

所述金属接触电极(6)还与所述第三硅层(5)的背向所述第二硅层(4)的表面直接接触。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元，其中，

所述第一硅层(3)的掺杂浓度在1*10²⁰至1*10²¹原子数/cm³的范围内，并且

所述第三硅层(5)的掺杂浓度在5*10¹⁸至5*10²⁰原子数/cm³的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，

所述第一硅层(3)是被晶化的多晶硅层。

6.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：

提供硅基体(1)；

在所述硅基体(1)的一表面上形成钝化介质层(2)；

在所述钝化介质层(2)层的背向所述硅基体(1)的表面上依次形成第一硅层(3)、第二硅层(4)和第三硅层(5)，其中，所述第一硅层(3)、所述第二硅层(4)和所述第三硅层(5)彼此接触；以及

形成金属接触电极(6)，所述金属接触电极(6)穿过所述第三硅层(5)和所述第二硅层(4)而与所述第一硅层(3)直接接触。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

所述第一硅层(3)为掺杂的多晶硅层，

形成所述第一硅层(3)包括：

形成第一前置层，所述第一前置层包括具有掺杂原子的微晶硅层、非晶硅层和多晶硅的一种或多种的单层或叠层；以及

进行高温退火热处理以激活所述掺杂原子并且使所述第一前置层晶化以使其转变成第一硅层(3)。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，

所述第一前置层还包括未掺杂的微晶硅层、非晶硅层和多晶硅的一种或多种的单层或叠层。

9.根据权利要求6-8中任一项所述的制造方法，其中，

形成所述金属接触电极(6)包括：

图案化所述第二硅层(4)和所述第三硅层(5)，以移除所述第二硅层(4)和所述第三硅层(5)的一部分；以及

在所述第二硅层(4)和所述第三硅层(5)被移除的区域处形成所述金属接触电极(6)，使得所述金属接触电极(6)穿过所述第三硅层(5)和所述第二硅层(4)而与所述第一硅层(3)直接接触。

10.根据权利要求6-8中任一项所述的制造方法，其中，

所述第二硅层(4)为未掺杂的微晶硅层、非晶硅层、多态硅层中的一种或者多种的单层或叠层，

所述第三硅层(5)位掺杂的微晶硅层、非晶硅层、多态硅层中的一种或者多种的单层或叠层，并且

所述第一硅层(3)和所述第三硅层(5)具有相同的掺杂类型，所述掺杂类型为n型或p型。