[发明专利]利用场效电晶体电容参数的电磁干扰调整器在审
| 申请号: | 202111352553.X | 申请日: | 2021-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN115706516A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
| 发明(设计)人: | 黄文楠;陈庆国;李淑惠;孟祥集;彭卓兰;曹佐建 | 申请(专利权)人: | 博盛半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
| 代理公司: | 北京汇智英财专利代理有限公司 11301 | 代理人: | 赵翠璞 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 电晶体 电容 参数 电磁 干扰 调整器 | ||
本发明公开一种利用场效电晶体电容参数的电磁干扰调整器,用以检测场效电晶体的感应电压和感应电流,依此来推断场效电晶体的工作频率是否处于预设的电磁干扰特别管理频率内,而当基频与倍频关系超过限制时,可以调节外接电容组的内容,以协助应用场效电晶体的产品在各种负载下,保持优异的电磁干扰调节能力,进而优化电磁干扰的特性。
技术领域
本发明涉及一种电磁干扰调整器,尤指是一种利用场效电晶体电容参数调整电磁干扰的电磁干扰调整器。
背景技术
电子电路通常在操作时容易受到电磁干扰(Electro Magnetic Interference,EMI)杂讯的影响而降低工作性能的表现,特别是当电子电路处于倍频或高频状态时,电晶体开关的振铃也随之上升,进而产生严重的电磁干扰。
一般而言,降低电磁干扰的方式有很多种,例如:CN108377095A“振铃振幅测量及减轻”,利用峰值检测器来测量振铃电压的振幅,并通过开关驱动器调整开关的控制讯号,进一步调整振铃电压的振幅,进而降低电磁干扰,此外,另有其他现有技术可供参考如下:TWI443957B“高效率电源转换器系统”、US10498212B2“Gate driver”等。
因此,如何改善电子电路处于倍频或高频状态时,所产生的电磁干扰,进而协助应用电晶体开关的产品在各种负载下,保持优异的电磁干扰调节能力,是亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于上述的问题,本发明人依据多年来从事相关行业的经验,针对电磁干扰调整器进行改进;因此,本发明的主要目的在于提供一种可协助应用场效电晶体的产品在各种负载下,保持优异的电磁干扰调节能力,进而优化电磁干扰特性的电磁干扰调整器,其主要检测一场效电晶体的感应电压和感应电流,依此来推断场效电晶体的一工作频率是否处于一预设状态,也即是,场效电晶体是否处于预设的电磁干扰特别管理频率内,而当基频与倍频关系超过限制时,可以调节电容组的内容。本发明的技术方案为:
一种电磁干扰调整器,与一场效电晶体呈电性连接,包含包括:
一侦测检测单元,用以撷取一侦测检测讯号,且与一微处理单元和一电容组呈电性连接;
该微处理单元用以根据该侦测检测讯号,计算出该场效电晶体的一工作频率,且判断该工作频率是否处于一预设状态,并根据判断结果传送一控制讯号;以及
该电容组用以根据该控制讯号调整该场效电晶体的该工作频率。
作为进一步的技术方案,该侦测检测讯号为该场效电晶体之的任两端点的一电压波形周期。
作为进一步的技术方案,该侦测检测单元包含包括一直流电压源、一比较器、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、以及一第四电阻,该比较器包含包括一反向输入端、一非反向输入端、以及一输出端,该反向输入端通过该第一电阻电性连接与该直流电压源电性连接,且通过该第二电阻电性连接至接地,该非反向输入端通过该第三电阻电性连接至接地,且通过该第四电阻连接与该输出端和该微处理单元连接;以及该输出端电性连接与该微处理单元电性连接。
作为进一步的技术方案,该侦测检测讯号为该电容组的一电容电压或一电容电流之的其中一种或其组合。
作为进一步的技术方案,该侦测检测单元包含包括一直流电压源、一直流电流源、一第一比较器、一第二比较器、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻、以及一第六电阻;
该第一比较器包含包括一第一反向输入端、一第一非反向输入端、以及一第一输出端,该第二比较器包含包括一第二反向输入端、一第二非反向输入端、以及一第二输出端;
该第一反向输入端通过该第一电阻电性连接与该直流电压源电性连接,且通过该第二电阻电性连接至接地,该第一非反向输入端通过该第三电阻电性连接至接地,且通过该第四电阻连接与该第一输出端和该微处理单元连接,以及该第一输出端电性连接与该微处理单元电性连接;以及
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