[发明专利]铝镁硅合金及其制备方法和应用有效
申请号: | 202111340346.2 | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN114086036B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 罗天纵;姚茂海;吕晶;王志坚;熊爱虎;童璨瑜;李杰 | 申请(专利权)人: | 湖南稀土金属材料研究院有限责任公司 |
主分类号: | C22C21/02 | 分类号: | C22C21/02;C22C21/08;C22C1/02;C22F1/05 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周孝湖 |
地址: | 410126 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铝镁硅 合金 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明涉及一种铝镁硅合金及其制备方法和应用,按质量百分比计,铝镁硅合金包括以下组分:Mg 0.40wt%~0.75wt%、Si 0.40wt%~0.80wt%、Fe 0.05wt%~0.25wt%、Cu 0.05wt%~0.25wt%、Zr 0.03wt%~0.20wt%、Mn 0.005wt%~0.05wt%、Ti 0.01wt%~0.05wt%、Y 0~0.20wt%、Gd 0~0.20wt%、La 0.01wt%~0.10wt%、Sr 0.008wt%~0.05wt%及余量的Al。该铝镁硅合金有效减缓Mg原子和Si原子在室温条件下偏聚成原子团簇,降低自然时效的负面影响,有效提升铝镁硅合金的抗拉强度和屈服强度,同时铝镁硅合金的导电率基本无影响。
技术领域
本发明涉及铝材技术领域,特别涉及一种铝镁硅合金及其制备方法和应用。
背景技术
铝合金具有价格低廉、重量轻、强度高、加工性能良好、导电性和耐腐蚀性能优异的特点,广泛应用于电线电缆、交轨型材、电极等领域。
铝镁硅(Al-Mg-Si)合金是常见的铝合金材料,其导电性能优异。然而,传统的铝镁硅合金在固溶淬火状态或热加工后,放置于室温环境一段时间后再进行时效处理,其强度降低,使得强度和导电率无法同时满足使用要求。因此,需要开发一种抗拉强度和屈服强度较高、且导电性能优异的铝镁硅合金材料。
发明内容
基于此,本发明提供了一种铝镁硅合金材料及其制备方法和应用,其具有较高的抗拉强度、屈服强度和导电率。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下。
一种铝镁硅合金,按质量百分比计,包括以下组分:
Mg:0.40wt%~0.75wt%、Si:0.40wt%~0.80wt%、Fe:0.05wt%~0.25wt%、Cu:0.05wt%~0.25wt%、Zr:0.03wt%~0.20wt%、Mn:0.005wt%~0.05wt%、Ti:0.01wt%~0.05wt%、Y:0~0.20wt%、Gd:0~0.20wt%、La:0.01wt%~0.10wt%、Sr:0.008wt%~0.05wt%及余量的Al。
在其中一些实施例中,铝镁硅合金中,按质量百分比计,包括以下组分:
Mg:0.55wt%~0.75wt%、Si:0.50wt%~0.70wt%、Fe:0.08wt%~0.15wt%、Cu:0.10wt%~0.20wt%、Zr:0.04wt%~0.10wt%、Mn:0.005wt%~0.01wt%、Ti:0.02wt%~0.04wt%、Y:0.01wt%~0.15wt%、Gd:0.01wt%~0.15wt%、La:0.02wt%~0.08wt%、Sr:0.01wt%~0.03wt%及余量的Al。
在其中一些实施例中,铝镁硅合金中,Mg与Si的质量比为(0.78~1.5):1。
在其中一些实施例中,铝镁硅合金中,Fe、Cu、Zr、Mn和Ti的质量之和为0.136wt%~0.8wt%。
在其中一些实施例中,铝镁硅合金中,Y、Gd和La的质量之和为0.04wt%~0.38wt%。
本发明提供了一种铝镁硅合金的制备方法,包括以下步骤:
按照上述的铝镁硅合金的组分加入原料,,依次进行熔炼、精炼及浇铸,得到合金铸锭;
将所述合金铸锭依次进行均匀化处理和热挤压处理,得到合金棒材;
将所述合金棒材进行时效处理。
在其中一些实施例中,铝镁硅合金的制备方法中,所述时效处理包括以下步骤:
先将所述合金棒材进行自然时效处理,再进行人工时效处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南稀土金属材料研究院有限责任公司,未经湖南稀土金属材料研究院有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111340346.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。