[发明专利]一种多元合金膜层的制备工艺

说明书

为了解决现有技术中多元合金膜层制备困难的问题，所以本发明提供了一种多元合金膜层的制备工艺，具体包括以下步骤，步骤一，制作溅射性放射腔体，将磁控性溅射源设置在真空腔内部并在真空腔内设置沉积工作台，且沉积工作台与磁控性溅射源之间保持固定距离；步骤二，准备基材和不同材质的靶材若干；步骤三，将不同靶材配合焊接在基材上并将其整体放入至溅射性放射腔体内所对应的沉积工作台上；步骤四，磁控性溅射源工作，在靶材等离子化后充分混合重新成膜在工件上；本发明可解决特殊多元合金膜层的制备的工艺问题，相较于现有技术，制作工艺简单，成本低廉；且在使用过程中不会增加额外的工时，不会降低原来生产工艺的效率。

技术领域

本发明涉及靶材焊接加工技术领域，尤其涉及一种多元合金膜层的制备工艺。

背景技术

目前膜层趋于高纯多元化以及复合膜层，对靶材的制备工艺提出了更高的要求。传统的多元靶材制备方法如熔炼制备，粉末烧结制备，混合喷涂制备工艺等，熔炼工艺受限材料特性不能互溶，混合喷涂工艺纯度含氧量等技术规格达不到要求，粉末烧结工艺又受限于成本太高，为了解决上述问题，所以本发明公开了一种多元合金膜层的制备工艺。

发明内容

发明目的：为了解决背景技术中存在的不足，所以本发明公开了一种多元合金膜层的制备工艺。

技术方案：一种多元合金膜层的制备工艺，具体包括以下步骤，

步骤一，制作溅射性放射腔体，将磁控性溅射源设置在真空腔内部并在真空腔内设置沉积工作台，且沉积工作台与磁控性溅射源之间保持固定距离；

步骤二，准备基材和不同材质的靶材若干；

步骤三，将不同靶材配合焊接在基材上并将其整体放入至溅射性放射腔体内所对应的沉积工作台上；

步骤四，磁控性溅射源工作，在靶材等离子化后充分混合重新成膜在工件上。

作为本发明的一种优选方式，所述靶材材质为铽靶材和铝靶材，所述基材为靶管。

作为本发明的一种优选方式，所述铽靶材和铝靶材交错焊接在靶管上。

作为本发明的一种优选方式，所述靶材材质为硅靶材和镁靶材，所述基材为铜板。

作为本发明的一种优选方式，所述硅靶材和镁靶材交错焊接在铜板上。

作为本发明的一种优选方式，所述真空腔外部连接真空系统，所述磁控性溅射源于真空腔外部连接有电气控制系统。

本发明实现以下有益效果：

本发明可解决特殊多元合金膜层的制备的工艺问题，相较于现有技术，制作工艺简单，成本低廉；且在使用过程中不会增加额外的工时，不会降低原来生产工艺的效率。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并于说明书一起用于解释本公开的原理。

图1为本发明公开的硅靶材和镁靶材的焊接结构示意图。

图2为本发明公开的靶材和铝靶材的焊接结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例

参考图1-2，一种多元合金膜层的制备工艺，具体包括以下步骤，

步骤一，制作溅射性放射腔体，将磁控性溅射源设置在真空腔内部并在真空腔内设置沉积工作台，且沉积工作台与磁控性溅射源之间保持固定距离；

步骤二，准备基材和不同材质的靶材若干；