[发明专利]一种多元合金膜层的制备工艺在审
| 申请号： | 202111336302.2 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114134470A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 臧龙杰;周俊荣;齐东淼;沈雷振;曾静 | 申请（专利权）人： | 昆山世高新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多元 合金 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种多元合金膜层的制备工艺，其特征在于，具体包括以下步骤，
步骤一，制作溅射性放射腔体，将磁控性溅射源设置在真空腔内部并在真空腔内设置沉积工作台，且沉积工作台与磁控性溅射源之间保持固定距离；
步骤二，准备基材和不同材质的靶材若干；
步骤三，将不同靶材配合焊接在基材上并将其整体放入至溅射性放射腔体内所对应的沉积工作台上；
步骤四，磁控性溅射源工作，在靶材等离子化后充分混合重新成膜在工件上。
2.根据权利要求1所述的一种多元合金膜层的制备工艺，其特征在于，所述靶材材质为铽靶材和铝靶材，所述基材为靶管。
3.根据权利要求2所述的一种多元合金膜层的制备工艺，其特征在于，所述铽靶材和铝靶材交错焊接在靶管上。
4.根据权利要求1所述的一种多元合金膜层的制备工艺，其特征在于，所述靶材材质为硅靶材和镁靶材，所述基材为铜板。
5.根据权利要求4所述的一种多元合金膜层的制备工艺，其特征在于，所述硅靶材和镁靶材交错焊接在铜板上。
6.根据权利要求1所述的一种多元合金膜层的制备工艺，其特征在于，所述真空腔外部连接真空系统，所述磁控性溅射源于真空腔外部连接有电气控制系统。
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