[发明专利]单晶锗红外晶体分光镜、及激光长波红外分束膜制备方法

权利要求书

1.一种单晶锗红外晶体分光镜，其特征在于：包括基底和镀在基底上的分束膜，所述基底为单晶锗红外晶体，所述分束膜为激光长波红外分束膜；

所述激光长波红外分束膜的膜系从里到外共包括22层，其中奇数膜层的膜料均为YbF₃，偶数膜层的膜料均为ZnS；

所述膜系22层的几何厚度分别为：第1层几何厚度145.28nm，第2层几何厚度437.03nm，第3层几何厚度50.00nm，第4层几何厚度416.83nm，第5层几何厚度196.36nm，第6层几何厚度97.66nm，第7层几何厚度278.71nm，第8层几何厚度54.03nm，第9层几何厚度311.65nm，第10层几何厚度50.60nm，第11层几何厚度288.91nm，第12层几何厚度86.06nm，第13层几何厚度223.21nm，第14层几何厚度129.89nm，第15层几何厚度158.52nm，第16层几何厚度632.23nm，第17层几何厚度171.26nm，第18层几何厚度129.94nm，第19层几何厚度644.37nm，第20层几何厚度50.00nm，第21层几何厚度682.16nm，第22层几何厚度91.16nm。

2.根据权利要求1所述单晶锗红外晶体分光镜，其特征在于：所述分束膜在45°入射时，1.064μm激光波段反射率测试值为98.25％；7.7μm～10.3μm长波红外波段透过率测试平均值为98.71％。

3.一种权利要求1-2任一项所述单晶锗红外晶体分光镜的激光长波红外分束膜制备方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤一：镀制第1层膜层：取YbF₃膜料由电阻蒸发源进行蒸镀，真空度≤1.0×10^-3Pa，蒸发速率为0.8nm/s～0.9nm/s；

步骤二：镀制第2层膜层：取ZnS膜料由电阻蒸发源进行蒸镀，真空度≤1.0×10^-3Pa，蒸发速率为0.7nm/s～0.8nm/s；

步骤三：重复步骤一、二，交替镀制第3～22层膜层；

步骤四：镀制完毕冷却真空室的温度低于50℃。

4.根据权利要求3所述单晶锗红外晶体分光镜的激光长波红外分束膜制备方法，其特征在于：所述步骤一中，镀制第1层膜层之前，对待镀零件的镀膜基底进行清洗和烘烤。

5.根据权利要求4所述单晶锗红外晶体分光镜的激光长波红外分束膜制备方法，其特征在于：所述清洗采用清洁剂。

6.根据权利要求4所述单晶锗红外晶体分光镜的激光长波红外分束膜制备方法，其特征在于：所述烘烤的具体方法为：将待镀零件置于高真空镀膜设备中，抽真空至≤1.0×10^-3Pa，在140～150℃下保温1～2小时即可。