[发明专利]一种刻蚀设备的真空系统及防反冲方法在审
申请号: | 202111326400.8 | 申请日: | 2021-11-10 |
公开(公告)号: | CN114156151A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 任升辉;张洪春;薛海宏;王鑫维;秦军;杨杰 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01J37/18 | 分类号: | H01J37/18 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 甄丹凤 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 设备 真空 系统 反冲 方法 | ||
公开了一种刻蚀设备的真空系统及防反冲方法,所述真空系统包括:真空室;泵,所述泵与所述真空室连通,用于对所述真空室抽真空;以及防反冲装置,所述防反冲装置连接于所述真空室和所述泵之间,防止所述泵内的介质流向所述真空室;以及真空阀,连接于所述真空室和所述泵之间,用于调节抽真空过程中介质流的大小以及控制抽真空过程的起止。本发明提供的刻蚀设备的真空系统在所述真空室和所述泵之间增设了防反冲装置,所述防反冲装置在所述泵发生跳泵停止工作时,防止所述泵内的异物回灌至所述真空室,以保证所述真空室内的真空度,防止真空室的产品报废,同时所述真空室不受影响,避免了真空室停机维护和保养,保证了设备的正常运行时间。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种刻蚀设备的真空系统方法冲方法。
背景技术
干法去胶机台(Asher)作为去除光刻胶的设备,在干法蚀刻领域有着大量应用。干法去胶的反应过程在去胶腔中完成,去胶腔内的腐蚀气体受高频电场作用,电离产生等离子体,等离子体与光刻胶膜反应,以实现光刻胶的去除。
去除光刻胶的过程中,所述去胶腔处于真空状态。具体地,所述去胶腔连接有真空泵,所述真空泵对所述去胶腔抽真空,以使得所述去胶腔处于真空状态。
但是,真空泵由于长时间工作,会出现跳泵即停止运行的情况。真空泵停止运行,真空泵内异物回灌至所述去胶腔内,直接影响去胶腔的洁净度,影响机台去光刻胶的速率(ER)和颗粒(Particle)。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种刻蚀设备的真空系统及防反冲方法,防止泵内的异物回灌至所述真空室。
本发明提供一种刻蚀设备的真空系统,所述真空系统包括:
真空室;
泵,所述泵与所述真空室连通,用于对所述真空室抽真空;
防反冲装置,所述防反冲装置连接于所述真空室和所述泵之间,防止所述泵内的介质流向所述真空室;以及
真空阀,连接于所述真空室和所述泵之间,用于调节抽真空过程中介质流的大小以及控制抽真空过程的起止。
优选地,所述防反冲装置包括第一端口以及第二端口,介质从所述第一端口流入时,所述防反冲装置开启;介质从所述第二端口流入时,所述防反冲装置关闭。
优选地,其特征在于,所述第一端口与所述真空室连接,所述第二端口与所述泵连接。
优选地,防反冲装置包括止回阀。
优选地,所述止回阀为升降式止回阀、旋启式止回阀和蝶式止回阀中的一种。
优选地,所述止回阀为立式升降止回阀。
优选地,所述立式升降止回阀包括:
阀体,所述阀体内部中空,形成腔体;
阀瓣,所述阀瓣滑动设置于所述腔体内;以及
阀体两端的第一端口和第二端口,所述第一端口和所述第二端口与所述腔体连通。
优选地,所述立式升降止回阀还包括:
安装板,安装板固定于所述腔体内;
滑座,所述滑座固定于所述安装板上,且中心开设有通孔;以及
滑杆,所述滑杆一端连接所述阀瓣,另一端滑动设置于所述通孔内。
优选地,所述阀瓣位于所述腔体靠近所述第一端口的一端。
优选地,所述阀瓣与所述第一端口同轴心设置,且所述阀瓣的截面积大于所述第一端口的横截面的面积。
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