[发明专利]一种CBGA植柱装置及植柱方法在审
申请号: | 202111323274.0 | 申请日: | 2021-11-06 |
公开(公告)号: | CN114121692A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 韦双;梁雪驰;古华;李九峰;李辛;吴晓鸣 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 屠沛 |
地址: | 471099 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cbga 装置 方法 | ||
本发明提供了一种CBGA植柱装置及植柱方法,解决了现有将焊球置换为弹簧柱不仅操作复杂,还会出现弹簧柱错位或者易脱落等现象的技术问题,本发明通过设计一种植柱工装,将去除自身焊球的CBGA器件进行固定,然后使用小钢网或锡膏喷印机对其焊盘印刷焊锡膏,紧接着按照CBGA器件焊盘位置1:1(即原位)放置弹簧柱,并使用压块将CBGA器件本体和弹簧柱固定,最后使用焊接设备将弹簧柱焊接到CBGA器件的自身焊盘上,实现对CBGA器件自带焊球的置换。
技术领域
本发明属于精密电子装联技术领域,涉及一种CBGA植柱装置及植柱方法。
背景技术
CBGA器件有着优异的热性能及电性能,且兼具良好的气密性和耐湿热性能,因而广泛应用于各类电子装联领域,但由于CBGA器件的陶瓷基体与印制电路板PCB基体热膨胀系数(CTE)存在较大的差异(前者为6PPM/℃,后者为16PPM/℃~25PPM/℃),在高低温工作环境中CBGA的焊点容易产生热应力,导致后期出现焊点疲劳开裂失效的故障(即导致CBGA芯片自带的有铅焊球或无铅焊球容易因热应力而产生疲劳开裂)。由于CBGA器件的焊点疲劳开裂问题通常在产品组装完成后一段时间发生(通常是3年以后),如果CBGA器件仅用于使用条件较为宽松的民用领域和消费类领域,CBGA器件焊点疲劳开裂问题一般不会影响产品的功能性能,但如果用于使用条件苛刻的航空航天领域或其它高可靠性要求领域,CBGA器件的焊点疲劳失效将严重影响这些领域产品的功能性能,急需找到相应的解决措施。
由于弹簧柱兼具刚性和挠性两种特性,可以有效释放因CBGA陶瓷基体材料和印制电路板PCB基体材料热膨胀系数不一致带来的剪切力。因此通过将CBGA器件的焊球置换为弹簧柱,能有效地克服和缓解CBGA器件陶瓷基体和印制电路板材料热膨胀系数不匹配的问题,可显著提高焊点的热疲劳寿命。然而,目前将焊球置换为弹簧柱通常为手工操作,缺少相应的工艺装置和工艺方法说明,不仅操作复杂,而且极易会出现弹簧柱错位或者易脱落等现象,置换效率低,置换问题频发,置换方法亟待改进提升。
发明内容
本发明的目的在于解决现有将焊球置换为弹簧柱不仅操作复杂,还会出现弹簧柱错位或者易脱落等现象的不足之处,提供了一种CBGA植柱装置及植柱方法。
本发明的主要构思为:通过设计一种植柱工装,将去除自身焊球的CBGA器件进行固定,然后使用小钢网或锡膏喷印机对其焊盘印刷焊锡膏,紧接着按照CBGA器件焊盘位置1:1(即原位)放置弹簧柱,并使用压块将CBGA器件本体和弹簧柱固定,最后使用焊接设备将弹簧柱焊接到CBGA器件的自身焊盘上,实现对CBGA器件自带焊球的置换。
为实现上述目的,本发明所提供的技术解决方案是:
一种CBGA植柱装置,其特殊之处在于:包括配合使用的底座、上模和压块;
所述底座中部设置有空心区域,所述空心区域尺寸大于待置换CBGA器件,且空心区域内底座底部设置有用于支撑并限位待置换CBGA器件的台阶;
所述上模安装在底座上部,其上对应于所述空心区域的位置为开槽区域;所述开槽区域内上模厚度小于上模本体厚度,且开槽区域内上模设置有用于放置待安装弹簧柱的安装孔阵列,该安装孔阵列与待置换CBGA器件的焊盘排布一致;
所述压块与上模的开槽区域尺寸相适配,其中部设置有与安装孔阵列排布一致的通孔阵列。
进一步地,为了扩大散热面积,所述底座上空心区域的四周还设置有散热区域。
进一步地,为了提高散热效率和加快助焊剂挥发,所述压块上设置通孔阵列的区域为空心区域。
进一步地,所述底座和上模通过紧固件安装在一起,底座和上模上均设置于安装紧固件的固定孔;
进一步地,为了提升植柱装置的使用寿命,所述底座、上模和压块的材料均为耐高温的合成石。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造