[发明专利]一种CBGA植柱装置及植柱方法在审
申请号: | 202111323274.0 | 申请日: | 2021-11-06 |
公开(公告)号: | CN114121692A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 韦双;梁雪驰;古华;李九峰;李辛;吴晓鸣 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 屠沛 |
地址: | 471099 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cbga 装置 方法 | ||
1.一种CBGA植柱装置,其特征在于:包括配合使用的底座、上模和压块;
所述底座中部设置有空心区域,所述空心区域尺寸大于待置换CBGA器件,且空心区域内底座底部设置有用于支撑并限位待置换CBGA器件的台阶;
所述上模安装在底座上部,其上对应于所述空心区域的位置为开槽区域;所述开槽区域内上模厚度小于上模本体厚度,且开槽区域内上模设置有用于放置待安装弹簧柱的安装孔阵列,该安装孔阵列与待置换CBGA器件的焊盘排布一致;
所述压块与上模的开槽区域尺寸相适配,其中部设置有与安装孔阵列排布一致的通孔阵列。
2.根据权利要求1所述CBGA植柱装置,其特征在于:
所述底座上空心区域的四周还设置有散热区域。
3.根据权利要求1或2所述CBGA植柱装置,其特征在于:
所述压块上设置通孔阵列的区域为空心区域。
4.根据权利要求3所述CBGA植柱装置,其特征在于:
所述底座和上模通过紧固件安装在一起,底座和上模上均设置于安装紧固件的固定孔。
5.根据权利要求4所述CBGA植柱装置,其特征在于:
所述底座、上模和压块的材料均为耐高温的合成石。
6.采用权利要求1所述CBGA植柱装置进行植柱的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)使用电烙铁将CBGA器件自带的焊球去除;
2)使用电烙铁和吸锡带将CBGA器件上残余的焊锡清除干净;
3)采用小钢网或锡膏喷印机对CBGA器件进行锡膏印刷;
4)将印刷好锡膏的CBGA器件置于所述植柱装置底座空心区域的台阶上;
5)将所述植柱装置的上模安装到植柱装置的底座上;
6)使用镊子将弹簧柱通过植柱装置上模的安装孔阵列一一摆放到CBGA器件对应的焊盘上;
7)将植柱装置的压块放置到植柱装置上模的开槽区域内;
8)使用回流炉或汽相炉对植柱装置进行整体过炉焊接;
9)焊接完成后,拆开植柱装置,取出CBGA器件,并对CBGA器件进行清洗,完成植柱过程。
7.根据权利要求6所述植柱方法,其特征在于:
步骤3)中,采用小钢网印刷锡膏时,小钢网的厚度为0.12mm-0.15mm之间,采用锡膏喷印机印刷时,锡膏厚度为0.15-0.2mm。
8.根据权利要求7所述植柱方法,其特征在于:
步骤8),当采用有铅锡膏进行植柱时,回流炉或汽相炉的最高炉温控制在215±5℃,当采用无铅锡膏进行植柱时,回流炉或汽相炉的最高炉温控制在245±5℃。
9.根据权利要求6-8任一所述植柱方法,其特征在于:
步骤9)中,使用混合比例为1:1酒精汽油混合溶液对CBGA器件进行清洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造