[发明专利]一种LED外延结构及LED芯片

说明书

本发明公开了一种LED外延结构及LED芯片，所述LED外延结构包括：衬底；外延层，设置于衬底的上方，且外延层在衬底的上方依次包括N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型电流扩展层，设置于P型半导体层的上方；P型欧姆接触层，设置于P型电流扩展层的上方，P型欧姆接触层包括多个层对，所述层对分别由第一子层和第二子层构成，其中第一子层的P型掺杂浓度小于第二子层的P型掺杂浓度。本发明能够有利于LED外延结构P端的电流扩展，并且能够降低LED器件的电阻及操作电压，提升LED器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种LED外延结构及LED芯片。

背景技术

四元系AlGaInP发光二极管具有耗电低、发光效率高、寿命长、体积小、成本低等特点，因此在照明以及光纤通信系统中有着广泛的应用。AlGaInP发光二极管的外延片通常包括衬底及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层。P型欧姆接触层与电极接触时无法形成良好的欧姆接触，导致电流扩展能力较差，进而不利于LED芯片的发光效率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种LED外延结构及LED芯片，能够有效增加P端电流扩展效果。

为了实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种LED外延结构，包括：

衬底；

N型电流扩展层，设置于衬底的表面的上方；

外延层，设置于所述N型电流扩展层的上方，且所述外延层在所述N型电流扩展层的上方依次包括N型半导体层、有源层和P型半导体层；

P型电流扩展层，设置于所述P型半导体层的上方；

P型欧姆接触层，设置于所述P型电流扩展层的上方，所述P型欧姆接触层包括多个层对，所述层对分别由第一子层和第二子层构成，其中，所述第一子层的P型掺杂浓度小于所述第二子层的P型掺杂浓度。

可选地，所述第一子层的P型掺杂浓度与所述第二子层的P型掺杂浓度的比例范围介于1:1～1:5。

可选地，所述P型欧姆接触层的厚度为。

可选地，所述第一子层和所述第二子层的厚度比为1:1～3:1。

可选地，所述P型欧姆接触层包括n个层对，所述n的范围为3～20。

可选地，所述P型欧姆接触层的P型掺杂浓度大于所述P型电流扩展层的P型掺杂浓度。

可选地，所述P型欧姆接触层的P型掺杂浓度介于8E18 atoms/cm³～2E20 atoms/cm³。

可选地，所述P型电流扩展层的P型掺杂浓度介于7E18 atoms/cm³～8E19 atoms/cm³。

可选地，所述P型电流扩展层的厚度介于0.8～2μm。

可选地，所述P型电流扩展层或所述P型欧姆接触层的材料为GaP。

可选地，所述LED外延结构辐射红光。

本发明还提供一种LED芯片，包括：

基板；

P型欧姆接触层，位于所述基板的表面的上方，所述P型欧姆接触层包括多个层对，所述层对分别由第二子层和第一子层构成，所述第二子层的P型掺杂浓度大于所述第一子层的P型掺杂浓度；

P型电流扩展层，位于所述P型欧姆接触层的上方；