[发明专利]静电微机电系统换能器、制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种静电微机电系统换能器，包括：

第一电极；

相对于第一电极能移动的第二电极；以及

位于第一电极和第二电极之间的电介质层，

其中，所述电介质层包括标准部分和泄漏部分，所述标准部分的材料是标准电介质材料，所述泄漏部分的材料是泄漏电介质材料。

2.根据权利要求1所述的静电微机电系统换能器，其中，所述静电微机电系统换能器是微机电系统麦克风，所述第一电极是背极，所述第二电极是振膜，以及所述背极被沉积在所述电介质层上。

3.根据权利要求1或2所述的静电微机电系统换能器，其中，所述泄漏部分的底面图案包括第一环形图案，所述标准部分的底面图案包括位于第一环形图案内部的第一圆形图案；或者

其中，所述泄漏部分的底面图案包括第二环形图案和第二圆形图案，所述标准部分的底面图案包括位于第二环形图案和第二圆形图案之间的第三环形图案；或者

其中，所述泄漏部分的底面图案包括第四环形图案，所述标准部分的底面图案包括位于第四环形图案内部的第三圆形图案，所述泄漏部分的底面图案还包括截断图案，所述截断图案将第三圆形图案分割成至少两个部分；或者

其中，所述泄漏部分的底面图案包括第四圆形图案，所述标准部分的底面图案包括第五圆形图案和至少两个第六圆形图案，第五圆形图案和第六圆形图案散布在第四圆形图案中，以及第六圆形图案围绕第五圆形图案。

4.根据权利要求1或2所述的静电微机电系统换能器，其中，泄漏电介质材料是Si_xN_y，它的折射率在2.1至2.5的范围内，它的Si:N的原子比率在1:1.1至1:0.9的范围内，它的体电阻率在10⁶Ω.cm至10¹⁰Ω.cm的范围内；以及

其中，标准电介质材料是SiN_x，它的折射率在1.9至2.1的范围内，它的Si:N的原子比率在1:1.35至1:1.1的范围内，它的体电阻率在10¹¹Ω.cm至10¹⁶Ω.cm的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的静电微机电系统换能器，其中，标准部分和泄漏部分的底面面积比率在10％至90％之间。

6.一种静电微机电系统换能器的制造方法，包括：

在衬底上依次形成第一牺牲层、振膜和第二牺牲层，其中，在第二牺牲层上形成有至少两个凹陷；

使用标准电介质材料在至少一个凹陷中沉积标准部分的底部电介质层；

在形成有标准部分的底部电介质层的第二牺牲层上沉积泄漏电介质材料以形成泄漏部分的底部电介质层；

在底部电介质层上形成背极；

在背极上沉积顶部电介质层；

蚀刻泄漏部分的底部电介质层，以形成底部电介质图案；

形成用于振膜和背极的接触焊盘；

去除第二牺牲层的至少一部分，以形成振膜和背极之间的间隙；以及

去除第一牺牲层和衬底的至少一部分，以释放振膜。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，其中，所述泄漏部分的底面图案包括第一环形图案，所述标准部分的底面图案包括位于第一环形图案内部的第一圆形图案；或者

其中，所述泄漏部分的底面图案包括第二环形图案和第二圆形图案，所述标准部分的底面图案包括位于第二环形图案和第二圆形图案之间的第三环形图案；或者

其中，所述泄漏部分的底面图案包括第四环形图案，所述标准部分的底面图案包括位于第四环形图案内部的第三圆形图案，所述泄漏部分的底面图案还包括截断图案，所述截断图案将第三圆形图案分割成至少两个部分；或者

其中，所述泄漏部分的底面图案包括第四圆形图案，所述标准部分的底面图案包括第五圆形图案和至少两个第六圆形图案，第五圆形图案和第六圆形图案散布在第四圆形图案中，以及第六圆形图案围绕第五圆形图案。