[发明专利]显示装置和电子设备在审
申请号: | 202111310723.8 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114447066A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 沈龙燮;韩筵昊;洪宗范;金梨香;柳永浚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域以及非显示区域;
主像素电极,在所述第一显示区域上方;
辅助像素电极,在所述第二显示区域上方;以及
屏蔽层,在所述基板与所述辅助像素电极之间,包括第一金属层以及与所述第一金属层重叠的至少一个反射减少层,并且限定与所述透射区域重叠的开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个反射减少层包括:
光吸收层,在所述第一金属层与所述基板之间并且具有比所述第一金属层的光吸收率大的光吸收率。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述光吸收层包括非晶硅。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,当在垂直于所述基板的上表面的方向上观看时,所述第一金属层的边缘与所述光吸收层的边缘对齐。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个反射减少层包括:
第二金属层,在所述第一金属层之下;以及
无机材料层,在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二金属层的在垂直于所述基板的上表面的方向上的厚度小于所述第一金属层的在垂直于所述基板的所述上表面的所述方向上的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的材料。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述至少一个反射减少层进一步包括:
光吸收层,在所述第一金属层与所述无机材料层之间并且具有比所述第一金属层的光吸收率大的光吸收率。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述光吸收层包括非晶硅。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,当在垂直于所述基板的上表面的方向上观看时,所述第一金属层的边缘与所述光吸收层的边缘、所述无机材料层的边缘和所述第二金属层的边缘对齐。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基板包括:
第一基底层;
第一阻挡层,在所述第一基底层上;
第二基底层,在所述第一阻挡层上;
第二阻挡层,在所述第二基底层上;以及
第三阻挡层,在所述第二阻挡层上并且具有比所述第二阻挡层的折射率小的折射率。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述至少一个反射减少层包括:
高折射层,在所述第一金属层与所述第三阻挡层之间并且具有比所述第三阻挡层的所述折射率大的折射率。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第二阻挡层的所述折射率与所述第三阻挡层的所述折射率之差大于或等于0.3,并且
其中,所述高折射层的所述折射率与所述第三阻挡层的所述折射率之差大于或等于0.3。
14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,当在垂直于所述基板的上表面的方向上观看时,所述高折射层的边缘与所述第一金属层的边缘对齐。
15.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述至少一个反射减少层进一步包括:
光吸收层,在所述第一金属层与所述高折射层之间并且具有比所述第一金属层的光吸收率大的光吸收率。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述光吸收层包括非晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的