[发明专利]监测装置、集成电路装置、电子设备及电池保护系统在审
申请号: | 202111310406.6 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114005823A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 珠海迈巨微电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/62;H02H3/08;H02H3/20;G01R19/165;G01R19/17 |
代理公司: | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人: | 李伟波 |
地址: | 519000 广东省珠海市高新区唐家*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 装置 集成电路 电子设备 电池 保护 系统 | ||
本公开提供了一种监测装置,包括:至少一个过载次数监测模块,包括比较器以及计数器,比较器的第一输入端接收电流和/或电压过载保护装置的熔断元件与含PN结元件之间的电压信号,比较器的第二输入端接收电压参考信号,比较器的输出端与计数器连接,计数器对电流和/或电压过载保护装置的熔断元件与含PN结元件之间的电压信号大于电压参考信号的事件进行计数,作为过载次数。本公开还提供了集成电路装置、电子设备、电池保护系统。
技术领域
本公开属于电路技术领域,本公开尤其涉及一种监测装置、集成电路装置、电子设备、电池保护系统。
背景技术
对于集成电路装置、电子设备(例如电池系统)而言,电流的过载保护以及电压的过载保护至关重要,直接关系到集成电路装置、电子设备能否正常工作以及集成电路装置、电子设备的可靠性。
当电子设备上所加的电流或电压超过限定值时所产生过多的热量(EOS)将会对电子设备对造成损害。静电释放(ESD)可能损坏微芯片。ESD释放电压可以高达几万伏。
现有技术中往往使用熔化熔丝进行电流过载保护,当过电流流经熔化熔丝时,熔化熔丝发生熔断,将电流源与电子设备断开,电子设备不再工作。
现有技术中往往使用电涌器件(例如二极管)进行电压过载保护,当过电压施加到电涌器件时,电涌器件被击穿,形成短路,电子设备不再工作。
当熔化熔丝或者电涌器件被毁坏时,电子设备必须更换熔化熔丝或者电涌器件。
而且,对电流和/或电压过载保护装置的监测也至关重要。
发明内容
为了解决上述技术问题之一,本公开提供了一种监测装置、集成电路装置、电子设备、电池保护系统。
根据本公开的一个方面,提供一种监测装置,包括:至少一个过载次数监测模块,所述过载次数监测模块包括比较器以及计数器,所述比较器的第一输入端接收电流和/或电压过载保护装置的熔断元件与含PN结元件之间的电压信号,所述比较器的第二输入端接收电压参考信号,所述比较器的输出端与所述计数器连接,所述计数器对电流和/或电压过载保护装置的熔断元件与含PN结元件之间的电压信号大于所述电压参考信号的事件进行计数,作为所述过载次数。
根据本公开的至少一个实施方式的监测装置,还包括:至少一个电压监测模块,所述电压监测模块实时采集电流和/或电压过载保护装置的熔断元件与含PN结元件之间的电压信号以对熔断元件与含PN结元件之间的电压进行监测。
根据本公开的至少一个实施方式的监测装置,还包括:至少一个电流监测模块,所述电流监测模块包括电压积分放大器,所述电流监测模块至少基于所述电压积分放大器的积分时间、在积分时间内的积分电压以及所述熔断元件的电阻值,获得电流和/或电压过载期间的放电电流平均值。
根据本公开的至少一个实施方式的监测装置,所述过载次数监测模块还包括低通滤波器,所述低通滤波器对所述比较器输出的信号进行低通滤波,所述计数器对低通滤波后的信号进行计数。
根据本公开的至少一个实施方式的监测装置,所述电流监测模块还包括模数转换器以及低通滤波器,所述模数转换器对所述电压积分放大器输出的积分电压进行模数转换,所述低通滤波器对模数转换后的积分电压进行低通滤波,所述电流监测模块至少基于所述电压积分放大器的积分时间、在积分时间内的低通滤波后的积分电压以及所述熔断元件的电阻值,获得电流和/或电压过载期间的放电电流平均值。
根据本公开的至少一个实施方式的监测装置,所述电压监测模块包括模数转换器以及与模数转换器连接的低通滤波器,所述模数转换器对所述采集的电流和/或电压过载保护装置的熔断元件与含PN结元件之间的电压信号进行模数转换,输出数字信号,所述低通滤波器对所述模数转换器输出的数字信号进行低通滤波,以对所述熔断元件与含PN结元件之间的电压进行监测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的