[发明专利]处理装置和处理方法在审
申请号: | 202111289390.5 | 申请日: | 2021-11-02 |
公开(公告)号: | CN114464551A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 泽地淳;小笠原幸辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种处理装置和处理方法,用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。对基板进行处理的处理装置具有:多个处理室,在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理;多个罐单元,所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置,所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐;以及气体箱,其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
技术领域
本公开涉及基板的处理装置和处理方法。
背景技术
在专利文献1中,公开了在具有搬送被处理体的搬送机构的搬送室的周围连接用于在规定的气体气氛下对被处理体实施规定的处理的多个处理室所得到的处理装置。根据所述处理装置,在各处理室的上部或下部设置有气体箱,该气体箱收容有向各处理室导入的气体的气体控制单元。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-243858号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是一种对基板进行处理的处理装置,所述处理装置具有:多个处理室,在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理;多个罐单元,所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置,所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐;以及气体箱,其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
发明的效果
根据本公开,能够削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。
附图说明
图1是示出本实施方式所涉及的晶圆处理装置的结构的概要的俯视图。
图2是示出气体供给模块的结构的概要的系统图。
图3是示出气体箱的连接构造的说明图。
图4是示出本实施方式所涉及的处理方法的主要工序的流程图。
图5是示意性地示出处理模块的预处理的情形的说明图。
图6是示出在处理模块中获取的控制压力特性的一例的说明图。
图7是示意性地示出处理模块的预处理的情形的说明图。
图8是示出向处理模块供给处理气体的主要工序的图表。
图9是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
图10是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
图11是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
图12是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
图13是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
图14是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
图15是示出其它实施方式所涉及的供给处理气体的主要工序的图表。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造