[发明专利]显示面板和显示设备在审
| 申请号: | 202111262462.7 | 申请日: | 2021-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN113964150A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
| 发明(设计)人: | 贾倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张娜 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 设备 | ||
本申请提供了一种显示面板和显示设备,显示面板包括显示区和非显示区,显示区和非显示区邻接,显示面板还包括绝缘导热膜、像素发光单元和多膜层凸起形成的散热结构,其中,散热结构形成于非显示区,绝缘导热膜和像素发光单元形成于显示区,并且,绝缘导热膜环绕于像素发光单元的周缘,绝缘导热膜至少部分与散热结构连接以将像素发光单元产生的热量传导至散热结构。本申请的显示面板中,通过在显示区设置绝缘导热膜以及在非显示区设置多膜层凸起形成的散热结构,使得绝缘导热膜能够将像素发光单元产生的热量传输至非显示区的散热结构进行散热,如此,有效地增大了显示面板的散热面积,提升了散热效果,避免了显示面板产生光效下降、色偏等问题。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板和显示设备。
背景技术
Micro-LED具有轻薄、长寿命、低功耗等优势,是新一代的显示技术设备。然而,目前Micro-LED的外量子效率一般为20%-30%,发光效率不高,剩余70%-80%则都转化成热量。并且,Micro LED器件尺寸非常小,产生的热量难以散发出去,导致LED结温升高,而导致LED光效下降,产生色偏,同时会有更多的能量转化为热量,加剧LED劣化。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种显示面板和显示设备。
本申请实施方式的显示面板,包括显示区和非显示区,所述显示区和所述非显示区邻接,所述显示面板还包括绝缘导热膜、像素发光单元和多膜层凸起形成的散热结构,所述散热结构形成于所述非显示区,所述绝缘导热膜和所述像素发光单元形成于所述显示区,并且,绝缘导热膜环绕于所述像素发光单元的周缘,所述绝缘导热膜至少部分与所述散热结构连接以将所述像素发光单元产生的热量传导至所述散热结构。
在某些实施方式中,所述绝缘导热膜包括延伸部,所述延伸部自所述显示区向所述非显示区延伸以连接所述散热结构。
在某些实施方式中,所述绝缘导热膜还形成于所述非显示区,位于所述非显示区的所述绝缘导热膜至少部分覆盖于所述散热结构表面。
在某些实施方式中,所述散热结构包括多个,多个所述散热结构间隔环绕所述显示区设置。
在某些实施方式中,所述显示面板包括依次层叠的衬底基板、第一缓冲层、第二缓冲层、绝缘层、层间介质层、第一平坦层、钝化层和第二平坦层,位于所述非显示区的所述层间介质层、所述第一平坦层、所述钝化层和所述第二平坦层凸起于所述绝缘层形成所述散热结构,或,位于所述非显示区的所述第一平坦层、所述钝化层和所述第二平坦层凸起于所述层间介质层形成所述散热结构。
在某些实施方式中,所述绝缘导热膜形成于所述第二平坦层上。
在某些实施方式中,所述散热结构的截面形状呈梯形。
在某些实施方式中,所述绝缘导热膜包括氮化铝、碳化硅、氧化铍或氮化硼中的一种或多种。
在某些实施方式中所述像素发光单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素为绿色,所述第二子像素为蓝色,所述第三子像素为红色。
本申请实施方式的显示设备,所述显示设备包括上述任意一实施方式所述的显示面板。
在本申请的显示面板和显示设备中,通过在显示区形成绝缘导热膜以及在非显示区形成多膜层凸起的散热结构,绝缘导热膜至少部分和散热结构连接的设置,一方面,通过绝缘导热膜利用显示区和非显示区之间温差让温度在显示面板上分布均匀,避免热点的产生,并且,可以由绝缘导热膜将像素发光单元产生的热量传导至散热结构,从而绝缘导热膜与散热结构可以同时散热,进一步提高了显示面板的散热能力,另一方面,多膜层凸起形成的散热结构能够增加散热结构与空气接触的面积,从而可以进一步地提升散热效果。如此,有效地避免了显示面板产生光效下降、色偏等问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





