[发明专利]一种功率模块的贴片封装方法及封装结构在审
申请号: | 202111250237.1 | 申请日: | 2021-10-26 |
公开(公告)号: | CN114005758A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 杜隆纯;戴小平;柯攀;曾亮;刘亮;黄蕾 | 申请(专利权)人: | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L25/07 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;张高洁 |
地址: | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 封装 方法 结构 | ||
1.一种功率模块的贴片封装方法,其特征在于,包括:
保持功率模块的芯片正面朝下;
使芯片正面的源极与栅极的表面分别与对应的第一金属薄膜贴合并吸附所述第一金属薄膜;
将吸附有所述第一金属薄膜的芯片以正面朝下的姿态贴于下衬板;
烧结所述第一金属薄膜,以在所述芯片的源极与栅极和所述下衬板之间分别形成第一金属烧结层。
2.根据权利要求1所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,还包括:
保持功率模块的芯片反面朝下;
使芯片反面的漏极的表面与对应的第二金属薄膜贴合并吸附所述第二金属薄膜;
将吸附有所述第二金属薄膜的芯片以反面朝下的姿态贴于上衬板;
烧结所述第二金属薄膜,以在所述芯片的漏极和所述上衬板之间形成第二金属烧结层。
3.根据权利要求2所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,还包括:
吸附所述第一金属薄膜时,保持所述第一金属薄膜完全位于所述芯片的源极与栅极表面上的焊窗区域内;
吸附所述第二金属薄膜时,保持所述第二金属薄膜完全位于所述芯片的漏极表面上的焊窗区域内。
4.根据权利要求1所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,在烧结所述第一金属薄膜之后,还包括:
在上衬板表面印刷一定厚度的银膏;
保持所述上衬板印刷有银膏的表面朝下并扣于所述芯片的反面上,使银膏所在区域与所述芯片反面上的漏极所在区域重合;
烧结所述银膏,以在所述芯片的漏极与所述上衬板之间形成银烧结层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,所述芯片正面的源极与栅极的表面同时贴合对应的所述第一金属薄膜。
6.根据权利要求2或3所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,所述第一金属薄膜的厚度大于所述第二金属薄膜的厚度。
7.根据权利要求2或3所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,所述所述第一金属薄膜与所述第二金属薄膜采用银膜或铜膜。
8.根据权利要求1至4任一项所述的功率模块的贴片封装方法,其特征在于,利用贴片机的吸头吸取芯片并保持芯片相应一侧表面朝下。
9.一种功率模块的封装结构,其特征在于,所述封装结构为叠层结构,其包括由上至下重叠设置的上衬板、芯片组件以及下衬板,所述芯片组件包括至少一个芯片;
所述芯片的源极与栅极和所述下衬板的导电区域之间分别具有第一金属烧结层,所述芯片的漏极与所述上衬板的导电区域之间具有第二金属烧结层。
10.根据权利要求9所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述芯片的源极与栅极所分别对应的所述第一金属烧结层围成的区域覆盖所述芯片的中心;
所述第二金属烧结层的围成的区域覆盖所述芯片的中心。
11.根据权利要求9或10所述的功率模块的封装结构,其特征在于,所述第一金属烧结层的厚度大于所述第二金属烧结层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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