[发明专利]一种改善smile效应的半导体激光器巴条及其制备方法

权利要求书

1.一种改善smile效应的半导体激光器巴条，其特征在于，所述半导体激光器巴条由若干个单巴条单元组成，中央单巴条单元的周期宽度最大，由中央向两侧单巴条单元的周期宽度依次递减；相邻的单巴条单元之间设置有沟槽；

所述单巴条单元由下至上依次包括N面电极、衬底、N型限制层、N型波导层、发光有源层、P型波导层、P型限制层；所述P型限制层凸起形成脊型条，所述脊型条上方和沟槽内表面设置有绝缘层，脊型条顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方设置有P面电极。

2.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条，其特征在于，所述单巴条单元的个数为9～39个。

3.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条，其特征在于，所述中央单巴条单元的周期宽度为200～700μm，周期宽度的递减幅度为20～60μm。

4.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条，其特征在于，所述脊型条的宽度为50～150μm，所有单巴条单元的脊型条宽度均相同。

5.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条，其特征在于，所述沟槽的宽度为2～4μm，深度为3～5μm，且穿过N型波导层。

6.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层为SiO₂绝缘层。

7.权利要求1所述改善smile效应的半导体激光器巴条的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

(1)将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，由下至上依次生长N型限制层、N型波导层、发光有源层、P型波导层、P型限制层形成外延片；

(2)通过湿法腐蚀工艺对外延片的P型限制层进行刻蚀，形成若干个脊型条，再继续通过湿法腐蚀工艺在脊型条之间刻蚀出沟槽；

(3)通过PECVD工艺在沟槽P型限制层表面覆盖绝缘层，脊形条上的绝缘层设有空断间隔，接着在绝缘层上沉积P面电极，然后进行衬底减薄，最后在衬底背面沉积N面电极。