[发明专利]适用于Bump和Pad测试的MEMS垂直探针在审
| 申请号： | 202111238619.2 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114088996A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 殷岚勇;施元军;刘凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶晟微纳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 bump pad 测试 mems 垂直 探针 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，包括针头和针身，所述针头和针身的连接处设置弧形平台，所述针头的长度为40-150μm，所述针头的宽度为30-100μm。
2.根据权利要求1所述的适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，所述针头为复合层叠结构，包括导电金属层和机械强度层。
3.根据权利要求2所述的适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，所述导电金属层的材料为铜、银、金中的一个或多个。
4.根据权利要求2所述的适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，所述机械强度层为钯、铑、钯的合金或铑的合金。
5.根据权利要求1所述的适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，所述针身为复合层叠结构，包括导电金属层和机械强度层。
6.根据权利要求5所述的适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，所述导电金属层的材料为铜、银、金中的一个或多个。
7.根据权利要求5所述的适用于Bump和Pad测试的垂直探针，其特征在于，所述机械强度层为钯、铑、钯的合金或铑的合金。
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