[发明专利]主动元件基板及主动元件基板的制造方法

说明书

一种主动元件基板及主动元件基板的制造方法，主动元件基板包括基板、主动元件以及阻隔层。主动元件位于基板上。阻隔层位于主动元件上。阻隔层包括第一氢原子分布区以及第二氢原子分布区。第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区位于第二氢原子分布区与基板之间。第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于第二氢原子分布区中的氮原子的浓度。第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。

技术领域

本发明涉及一种主动元件基板，且特别涉及一种具有阻隔层的主动元件基板及主动元件基板的制造方法。

背景技术

在现有的电子装置的制造过程中，半导体材料若接触到水气及/或氢气，可能会导致半导体材料的性质出现变化，进而影响电子装置的制造良率。举例来说，薄膜晶体管的半导体层若接触到氢气，则半导体层的导电性质可能会被改变，使薄膜晶体管故障。因此，目前亟需一种能避免半导体层接触到水气及/或氢气的方法。

发明内容

本发明提供一种主动元件基板，能避免水气以及氢对主动元件造成损伤。

本发明提供一种主动元件基板的制造方法，能避免水气以及氢对半导体层造成损伤。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板、主动元件以及阻隔层。主动元件位于基板上。阻隔层位于主动元件上。阻隔层包括第一氢原子分布区以及第二氢原子分布区。第一氢原子分布区位于主动元件上。第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区位于第二氢原子分布区与基板之间。第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于第二氢原子分布区中的氮原子的浓度。第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。第一氢原子分布区的厚度小于或等于第二氢原子分布区的厚度。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板、主动元件以及阻隔层。主动元件位于基板上，且包括半导体层、第一栅极、源极以及漏极。半导体层位于基板上。第一栅极重叠于半导体层。第一栅极与半导体层之间夹有栅极绝缘层。第一栅极包括铝、铝合金或含有铝层的堆叠层。源极以及漏极电性连接至半导体层。阻隔层位于主动元件上。阻隔层包括氧氮化硅以及氢原子。第一栅极位于该阻隔层与该半导体层之间。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板的制造方法。主动元件基板的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体层；以薄膜沉积工艺于半导体层上形成阻隔层。阻隔层包括第一氢原子分布区以及第二氢原子分布区。第一氢原子分布区位于半导体层上。第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区位于第二氢原子分布区与基板之间。第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于第二氢原子分布区中的氮原子的浓度。第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。第一氢原子分布区的厚度小于或等于该第二氢原子分布区的厚度。

附图说明

图1A至图1D是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造方法的剖面示意图。

图2A是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的氮原子浓度分布的示意图。

图2B是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的氢原子浓度分布的示意图。

图2C是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的氧原子浓度分布的示意图。

图3A是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的氮原子浓度分布的示意图。

图3B是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的氢原子浓度分布的示意图。

图3C是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的氧原子浓度分布的示意图。

图4是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。