[发明专利]主动元件基板及主动元件基板的制造方法

权利要求书

1.一种主动元件基板，包括：

一基板；

一主动元件，位于该基板上；以及

一阻隔层，位于该主动元件上，其中该阻隔层包括：

一第一氢原子分布区，位于该主动元件上，其中该第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子；以及

一第二氢原子分布区，该第一氢原子分布区位于该第二氢原子分布区与该基板之间，其中该第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子，其中该第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于该第二氢原子分布区中的氮原子的浓度，其中该第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于该第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度，其中该第一氢原子分布区的厚度小于或等于该第二氢原子分布区的厚度。

2.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一氢原子分布区中的氢原子的浓度在朝向该基板的方向的分布为先升后降。

3.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一氢原子分布区中的氮元素的浓度在朝向该基板的方向的分布为逐渐下降。

4.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该主动元件包括：

一半导体层，位于该基板上；

一第一栅极，重叠于该半导体层，且该第一栅极与该半导体层之间夹有一栅极绝缘层，其中该第一氢原子分布区接触并覆盖该栅极绝缘层；以及

一源极以及一漏极，电性连接至该半导体层。

5.如权利要求4所述的主动元件基板，其中该第一栅极的材料包括铝、铝合金、钼铝合金、钛铝合金、钼钛铝合金或含有铝层的堆叠层，该半导体层的材料包括金属氧化物。

6.如权利要求4所述的主动元件基板，其中该第一氢原子分布区接触并覆盖该第一栅极，且该第一栅极位于该第一氢原子分布区与该半导体层之间。

7.如权利要求5所述的主动元件基板，其中该主动元件还包括：

一第二栅极，重叠于该半导体层，且该第二栅极位于该基板与该半导体层之间。

8.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：

一平坦层，位于该阻隔层上，其中该平坦层接触并覆盖该第二氢原子分布区。

9.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第二氢原子分布区的厚度为10纳米至600纳米，且该第一氢原子分布区的厚度为10纳米至600纳米。

10.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第二氢原子分布区较该第一氢原子分布区致密。

11.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第二氢原子分布区直接连接该第一氢原子分布区。

12.一种主动元件基板，包括：

一基板；

一主动元件，位于该基板上，且包括：

一半导体层，位于该基板上；

一第一栅极，重叠于该半导体层，且该第一栅极与该半导体层之间夹有一栅极绝缘层，且该第一栅极包括铝、铝合金或含有铝层的堆叠层；以及

一源极以及一漏极，电性连接至该半导体层；以及

一阻隔层，位于该主动元件上，其中该阻隔层包括氧氮化硅以及氢原子，其中该第一栅极位于该阻隔层与该半导体层之间，

其中该阻隔层包括：

一第一氢原子分布区，位于该半导体层上；以及

一第二氢原子分布区，该第一氢原子分布区位于该第二氢原子分布区与该基板之间，其中该第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于该第二氢原子分布区中的氮原子的浓度，其中该第一氢原子分布区中的氢原子的浓度小于该第二氢原子分布区中的氢原子的浓度。