[发明专利]一种碲化铋热电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111218230.1 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113860873B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 纽春萍;何海龙;虞珂;荣命哲;吴翊;田昊洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;H10N10/10;H10N10/852;H10N10/80 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋 热电器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种制备碲化铋热电器件的方法，包括如下步骤：
S100：选取质量比为4:1的且纯度为99.99%的Ni粉原料和纯度为99.99%的C粉原料混合后球磨，获得Ni-C混合粉料；
S200：在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；
S300：将Ni-C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni-C阻挡层；
S400：对碲化铋热电材料层和Ni-C阻挡层进行SPS烧结，烧结过程中，先升温至300℃，在45-50MPa下保压15min后再升温至500℃，保压10min后自然冷却，以获得碲化铋热电器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S100中，球磨为间歇性球磨，每球磨2-4h后停顿0.5h，球磨时长为8-12h。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S200和步骤S300中，在20-30MPa压力下对碲化铋粉料进行预压以及对Ni-C混合粉料进行二次预压。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S200中，在真空度≤0.1Pa，温度为80-100℃的环境中对Ni-C混合粉料干燥18-20h。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S400中，碲化铋热电材料层和Ni-C阻挡层烧结完成后，还需要对Ni-C阻挡层进行减薄处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，减薄处理后的Ni-C阻挡层的厚度为0.2mm~0.5mm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S300中，所述阻挡层包括80 wt%的Ni粉和20wt%的C粉。
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