[发明专利]电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法在审

申请号：	202111178363.0	申请日：	2021-10-09
公开（公告）号：	CN114188395A	公开（公告）日：	2022-03-15
发明（设计）人：	张子敏;王宇澄;虞国新	申请（专利权）人：	无锡先瞳半导体科技有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
代理公司：	广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438	代理人：	刁益帆
地址：	214000 江苏省无锡市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	电荷补偿屏蔽沟槽功率器件及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，包括：

衬底区(1)、漂移区(2)、绝缘层(3)、屏蔽栅(4)、控制栅(5)、基体区(6)、源区(7)、源极(8)、漏极(9)以及电荷补偿层(10)；

所述漏极(9)设置在所述衬底区(1)的底部，所述漂移区(2)、所述基体区(6)及所述源极(8)依次设置在所述衬底区(1)上方；

所述绝缘层(3)包括：第一绝缘层(31)和第二绝缘层(32)；所述第一绝缘层(31)和所述第二绝缘层(32)分设于所述电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件的两侧，所述第一绝缘层(31)的一侧分别与所述基体区(6)和所述漂移区(2)相贴合，另一侧分别与所述屏蔽栅(4)和所述控制栅(5)相贴合；所述第二绝缘层(31)与所述基体区(6)的侧面相贴合，且所述第二绝缘层(31)与所述漂移区(2)的结合面上设有所述电荷补偿层(10)；

所述源区(7)设置在所述基体区(6)与所述源极(8)的结合面上，且一侧与所述第一绝缘层(31)相贴合；

所述衬底区(1)、所述源区(7)与所述漂移区(2)的掺杂类型一致，所述衬底区(1)和所述源区(7)的掺杂浓度均高于所述漂移区(2)；所述基体区(6)和所述电荷补偿层(10)的掺杂类型均与所述漂移区(2)的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，还包括：半导体区(11)；

所述半导体区(11)设置在所述基体区(6)和所述漂移区(2)的结合面上，所述半导体区(11)一侧与所述电荷补偿层(10)的侧面相贴合，另一侧与所述第一绝缘层(31)的侧面相贴合；

所述半导体区(11)与所述漂移区(2)的掺杂类型一致，且所述半导体区(11)的掺杂浓度高于所述漂移区(2)的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，

所述电荷补偿层(10)的掺杂浓度的取值范围为5×10¹⁶cm^-3至5×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1所述的电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，

所述衬底区(1)的掺杂浓度的取值范围为5×10¹⁹cm^-3至5×10²⁰cm^-3。

5.根据权利要求1所述的电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，

所述漂移区(2)的掺杂浓度的取值范围为5×10¹⁵cm^-3至5×10¹⁶cm^-3。

6.根据权利要求2所述的电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，