[发明专利]一种芯片隔离环设计及筛片方法有效

专利信息
申请号: 202111173606.1 申请日: 2021-10-09
公开(公告)号: CN113611629B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 吕继平;邬海峰;王测天;钟丹;刘莹;石君;吴晓东;杨云婷;陈长风;童伟 申请(专利权)人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01R31/28;B07C5/344
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李林合
地址: 610200 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 隔离 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片隔离环设计及筛片方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、在芯片版图设计阶段,为每个芯片设计隔离环;

S2、在晶圆的CP测试阶段,针对晶圆中的每个芯片,对芯片上的隔离环进行IV测试;

S3、根据隔离环的IV测试结果计算得到电压差值;

S4、针对晶圆中的每个芯片,判断其电压差值是否在预设范围内,若是则判定该芯片为正常芯片,否则判定该芯片具有隐裂纹缺陷;

S5、将判定具有隐裂纹缺陷的芯片在晶圆上做隔离标记,划定晶圆的隔离区域,完成筛片;

所述步骤S1中为每个芯片设计隔离环的具体方法为:在芯片上用隔离线设置一个能够将芯片内部电路包裹完全的开口环,在隔离线的一端设置PAD,将隔离线的另一端避开该PAD,并延长走线后在端点设置PAD,将两个端点均设置有PAD的开口环作为隔离环;

所述步骤S2包括以下分步骤:

S21、在晶圆的CP测试阶段,针对晶圆中的每个芯片,将隔离环上的一个PAD作为Port1端口,另一个PAD作为Port2端口;

S22、在Port2端口连接50Ω的接地电阻;

S23、在Port1端口依次输入电流I1和I2,测量得到Port1端口对应的电压V1和V2

所述步骤S2中针对晶圆中的每个芯片,其IV测试条件均相同,即在每个芯片Port1端口输入的电流I1均相同,在每个芯片Port1端口输入的电流I2均相同,且I1≠I2

所述步骤S3具体为:根据Port1端口的电压V1和V2计算得到电压差值∆V= V1 - V2

所述步骤S4中电压差值的预设范围为:Vlow≤ΔV≤Vhigh,其中Vlow表示预设的卡控门限最小值,Vhigh表示预设的卡控门限最大值。

2.根据权利要求1所述的芯片隔离环设计及筛片方法,其特征在于,所述卡控门限最小值Vlow和卡控门限最大值Vhigh均通过N个芯片的电压差值ΔV得到,N为晶圆中的芯片总数。

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