[发明专利]一种芯片隔离环设计及筛片方法有效
申请号: | 202111173606.1 | 申请日: | 2021-10-09 |
公开(公告)号: | CN113611629B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 吕继平;邬海峰;王测天;钟丹;刘莹;石君;吴晓东;杨云婷;陈长风;童伟 | 申请(专利权)人: | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28;B07C5/344 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 610200 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 隔离 设计 方法 | ||
1.一种芯片隔离环设计及筛片方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在芯片版图设计阶段,为每个芯片设计隔离环;
S2、在晶圆的CP测试阶段,针对晶圆中的每个芯片,对芯片上的隔离环进行IV测试;
S3、根据隔离环的IV测试结果计算得到电压差值;
S4、针对晶圆中的每个芯片,判断其电压差值是否在预设范围内,若是则判定该芯片为正常芯片,否则判定该芯片具有隐裂纹缺陷;
S5、将判定具有隐裂纹缺陷的芯片在晶圆上做隔离标记,划定晶圆的隔离区域,完成筛片;
所述步骤S1中为每个芯片设计隔离环的具体方法为:在芯片上用隔离线设置一个能够将芯片内部电路包裹完全的开口环,在隔离线的一端设置PAD,将隔离线的另一端避开该PAD,并延长走线后在端点设置PAD,将两个端点均设置有PAD的开口环作为隔离环;
所述步骤S2包括以下分步骤:
S21、在晶圆的CP测试阶段,针对晶圆中的每个芯片,将隔离环上的一个PAD作为Port1端口,另一个PAD作为Port2端口;
S22、在Port2端口连接50Ω的接地电阻;
S23、在Port1端口依次输入电流I1和I2,测量得到Port1端口对应的电压V1和V2;
所述步骤S2中针对晶圆中的每个芯片,其IV测试条件均相同,即在每个芯片Port1端口输入的电流I1均相同,在每个芯片Port1端口输入的电流I2均相同,且I1≠I2;
所述步骤S3具体为:根据Port1端口的电压V1和V2计算得到电压差值∆V= V1 - V2;
所述步骤S4中电压差值的预设范围为:Vlow≤ΔV≤Vhigh,其中Vlow表示预设的卡控门限最小值,Vhigh表示预设的卡控门限最大值。
2.根据权利要求1所述的芯片隔离环设计及筛片方法,其特征在于,所述卡控门限最小值Vlow和卡控门限最大值Vhigh均通过N个芯片的电压差值ΔV得到,N为晶圆中的芯片总数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造