[发明专利]壳体、其制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种壳体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供壳体基材；

在所述壳体基材的表面形成保护层；

在所述保护层远离所述壳体基材的表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行软烤、曝光、显影及硬烤，以使所述光刻胶层形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层具有镂空区域；

对所述保护层进行湿法刻蚀，以裸露所述壳体基材与所述镂空区域交叠的部分；以及

对所述壳体基材进行湿法刻蚀，以使所述壳体基材的表面形成一个或多个凸起结构而得到壳体本体，其中，每个所述凸起结构包括多个反射面；

所述对所述壳体基材进行湿法刻蚀时，所述光刻胶掩膜层的消融速度大于所述保护层的消融速度。

2.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，进行壳体基材刻蚀时，所述光刻胶掩膜层的消融速度为2μm/min至5μm/min；所述保护层的消融速度为50nm/min至100nm/min。

3.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述保护层包括金属或金属氧化物中的一种或多种；所述金属包括铬、铜、银中的一种或多种；所述金属氧化物包括氧化铬、氧化铜、氧化银、氧化钛、氧化锆中的一种或多种；所述保护层的厚度为50nm至500nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：进行热弯成型，以得到3D壳体本体；

所述进行热弯成型，以得到3D壳体本体包括：

提供弯折模具，所述弯折模具包括第一子模及第二子模，所述第二子模具有透气性；

将所述壳体本体设置于所述第一子模及所述第二子模之间，其中，所述壳体本体具有所述凸起结构的表面面向所述第二子模；以及

对所述第一子模进行热压，并对所述第二子模进行热吸，以形成3D壳体本体；其中，所述热压及热吸的温度为680℃至780℃，热压的压力为45kg至55kg，热吸的吸力为45kg至55kg。

5.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述曝光的能量为50mj/cm²至200mj/cm²；所述硬烤的温度为50℃至150℃；所述硬烤的时间为5min至15min。

6.一种壳体，其特征在于，所述壳体由权利要求1-5任一项所述的壳体的制备方法进行制备，所述壳体包括：

壳体本体，所述壳体本体具有第一表面，所述壳体本体具有一个或多个凸起单元，所述一个或多个凸起单元位于所述第一表面，每个所述凸起单元包括按预设规律排布的一个或多个凸起结构，每个所述凸起单元包括多个反射面。

7.根据权利要求6所述的壳体，其特征在于，当所述凸起单元为多个时，所述多个凸起单元呈周期性排布、随机排布或渐变式排布。

8.根据权利要求6所述的壳体，其特征在于，所述反射面为平面，所述反射面与所述第一表面之间的角度的范围为15°至60°。

9.根据权利要求6所述的壳体，其特征在于，所述多个反射面包括第一反射面，每个所述凸起单元包括所述第一反射面，所述一个或多个凸起单元的所述第一反射面相互平行。

10.根据权利要求9所述的壳体，其特征在于，所述多个反射面还包括第二反射面，每个所述凸起单元还包括所述第二反射面，所述第二反射面与所述第一反射面倾斜或垂直设置，所述一个或多个凸起单元的所述第二反射面相互平行。

11.根据权利要求10所述的壳体，其特征在于，所述多个反射面还包括第三反射面，每个所述凸起单元还包括所述第三反射面，所述第三反射面与所述第一反射面及第二反射面中的一个或多个倾斜或垂直设置，所述一个或多个凸起单元的所述第三反射面相互平行。