[发明专利]一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器有效
申请号: | 202111157286.0 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN113595518B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 刘成鹏;姚静石 | 申请(专利权)人: | 成都明夷电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52;H03F3/193;H03F3/21 |
代理公司: | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 尹新路 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自适应 可靠性 hbt 线性 功率放大器 | ||
本发明提出了一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器,在基础HBT线性功率放大器单元上增加功率检测及控制单元、模拟电源开关单元。功率检测及控制单元监测输入HBT线性功率放大器的信号功率强度,当有异常大功率信号输入HBT线性功率放大器时,通过模拟电源开关单元关断模拟电源供电,确保HBT线性功率放大器始终处于安全状态。通过对输入功率放大器的信号功率的实时检测,实现了HBT线性功率放大器在不同工作状态下的自适应,克服了模拟电源串联限流电阻对HBT线性功率放大器进行保护所带来的效率下降、线性度退化、匹配困难等缺陷。在不明显牺牲HBT线性功率放大器线性度和效率基础上,实现了HBT线性功率放大器的高鲁棒性。
技术领域
本发明属于无线通信射频前端技术领域,具体地说,涉及一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器。
背景技术
随着无线通信系统对信道带宽越来越高的需求,正交频分复用(OFDM)得到了广泛的应用,但由于OFDM技术表现出较大的信号幅度变化,为了能不失真的正确处理这些包络峰值,要求功率放大器具有较高的线性度和输出功率裕量。
由于GaAs HBT晶体管比GaAs HEMT晶体管具有更好的线性度,且成本更低,所以在设计线性功率放大器时,一般选用GaAs HBT工艺。
但HBT晶体管的自热效应在大电流、高功率区域表现得非常明显,若不加以抑制,HBT线性功率放大器在异常大功率输出条件下,极易由于HBT晶体管的自热效应与热耦合效应共同作用产生热堆积,进而导致器件损坏。
为了防止HBT线性功率放大器在异常大功率输出时发生损坏,一般采用的保护措施如图1所示,AMP1a和AMP2a为HBT线性功率放大器的驱动级放大器,AMP3a为HBT线性功率放大器的末级放大器,VCC1a、VCC2a和VCC3a为模拟电源,VCC1a通过串联限流电阻R1a给AMP1a供电,VCC2a通过串联限流电阻R2a给AMP2a供电。
随着AMP1a输入信号增大,AMP1a输出功率变大,流过限流电阻R1a的电流变大。此时,限流电阻R1a上的分压增大,导致实际加载在AMP1a上的电压变低,从而限制了AMP1a在异常大功率信号输入时的最大功率输出能力,防止本级放大器失效和输出过大功率到下一级放大器。
同样的,AMP1a输出端连接AMP2a输入端,随着AMP1a输出功率增大,AMP2a输出功率变大,流过限流电阻R2a的电流变大。此时,限流电阻R2a上的分压增大,导致加载在AMP2a上的电压变低,从而限制了AMP2a在异常大功率信号输入时的最大功率输出能力,防止本级放大器失效和输出过大功率到末级放大器AMP3a。
由于末级放大器AMP3a上的供电电压,直接决定了HBT线性功率放大器线性度等关键指标,所以VCC3a在给末级放大器AMP3a供电时,不能串联电阻。
由于模拟电源端串联限流电阻后,给HBT线性功率放大器内部驱动级供电,所以驱动级放大器在同样线性输出功率条件下,比未串联限流电阻需要更大的电流。而为了起到更好的过功率保护作用,电源端串联电阻不能太小,这也导致驱动级放大器的静态电流往往比不加限流电阻时大50%以上,从而导致HBT线性功率放大器的效率大幅下降。
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