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[发明专利]一种高线性度高输出功率的毫米波可重构功率放大器-CN202311163194.2在审
发明人：孙洋涛;龚海波;陈阳平;姚静石 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高线性度高输出功率的毫米波可重构功率放大器；在差分共源共栅单元的基础上设置输入输出可重构巴伦单元完成工作频段的切换，在满足多频段同时工作需求的同时，节约了芯片的面积；通过设置自适应偏置单元动态调节差分共源共栅单元的共栅管的直流偏置，提升了功率放大器的线性度；并通过设置增益补偿单元来补偿高输入功率下增益压缩的情况，进一步改善了功率放大器线性度。
一种线性输出功率毫米波可重构功率放大器

[发明专利]一种高集成度宽带高效率功率放大器-CN202311108186.8在审
发明人：龚海波;姚静石;苏黎明 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高集成度宽带高效率功率放大器；通过设置功率合成网络1b和功率匹配与正交输出网络1b；将峰值放大器进行阻抗匹配并转换输出两路幅度相等的电流信号；采用功率合成网络1b，控制载波放大器输出信号幅度和相位，通过负载牵引形式动态调整峰值放大器负载阻抗值，摆脱了1/4波长传输线固有的窄带特性对功率放大器的束缚，实现了在宽频带、大动态条件下高效率工作。
一种集成度宽带高效率功率放大器

[发明专利]一种新型毫米波数字衰减器-CN202310889813.X有效
发明人：关鸿;龚海波;姚静石;陈阳平 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型毫米波数字衰减器，包括查找表模块、单片机、高精度数模转换器以及第一支路、第二支路和可变增益衰减器；所述高精度数模转换器与可变增益衰减器之间并列设置有第一支路、第二支路；所述第一支路、第二支路分别包括低通滤波器、缓冲器。所述查找表模块用于存储可变增益衰减器所需的偏置电压值及对应的步进衰减；所述单片机用于控制高精度数模转换器输出可变增益衰减器所需的偏置电压；所述低通滤波器用于过滤高频脉动干扰信号，所述缓冲器用于使高精度数模转换器输出信号增加延时，以消除负载牵引对电路的影响。本发明有效解决了毫米波频段应用时衰减器衰减精度以及动态范围不足的情况，具有较好的实用性。
一种新型毫米波数字衰减器

[发明专利]一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器-CN202310989416.X有效
发明人： 姚静石;龚海波;苏黎明 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H11/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器，包括控制电路单元、可重构电容网络单元和可重构电感网络单元；所述可重构电容网络单元包括若干个并联的支路，且每个支路上设置有串联的电容C和射频开关SW，所述可重构电容网络单元的容值采用二进制加权并行结构；所述可重构电感网络单元包括单刀双掷射频开关SPDT和若干个并联的支路，且每个支路上设置有串联的射频开关SW和有源电感，所述单刀双掷射频开关SPDT的第一输出端、第二输出端分别与可重构电容网络单元的两端连接。本发明可以在大范围内对天线与射频前端之间的阻抗失配进行调谐，同时，由于采用的元器件均适用于集成电路工艺，可实现电路小型化和单片化，具有较好的实用性。
一种集成度小型化宽幅阻抗调谐器

[发明专利]一种高速波束赋形芯片-CN202310828479.7有效
发明人：陈阳平;姚静石;龚海波;苏黎明 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明涉及通信技术领域，具体地说，涉及一种高速波束赋形芯片；通过设置快速刷新单元根据所述第一控制信号确定数据刷新方式，并生成第二控制信号，定位待刷新的串并转换单元；设置串并转换单元，根据第二控制信号，生成一对互补的第三控制信号；设置波束赋形单元，根据第三控制信号改变高速波束赋形芯片的工作状态，完成数据刷新，实现了对多通道波束赋形芯片快速数据刷新，缩短了系统的反应时间。
一种高速波束赋形芯片

[发明专利]一种宽频带Doherty功率放大器-CN202310755848.4有效
发明人： 姚静石;苏黎明;龚海波 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种宽频带Doherty功率放大器；本发明采用输出匹配网络2b取代四分之一波长传输线，通过调节第一谐振腔与第二谐振腔之间的位置将负载阻抗直接进行阻抗变换；采用宽带补偿网络取代补偿线，并根据第一谐振腔和第二谐振腔的中心位置，调节宽带补偿网络的移相频率点位置，得到在宽频带内高阻抗的辅助放大单元，抑制主放大单元在低功率输出时的功率泄露，提升了Doherty功率放大器的工作带宽。
一种宽频 doherty 功率放大器

[发明专利]一种宽带数控延时线-CN202310708109.X有效
发明人：陈阳平;姚静石;甘志 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H03H17/00 文献下载
摘要：本发明涉及射频芯片技术领域，具体地说，涉及一种宽带数控延时线；通过设置第一延时单元，生成延时特性随频率增加而下降的第一延时信号；设置第二延时单元，生成延时特性随频率增加而上升的第二延时信号，并根据第二延时信号补偿第一延时信号，两部分的延时特性相互补偿后，得到一个宽带延时特性的延时线；在此基础上，增加频率监测控制单元和自适应宽带补偿单元，通过监测工作频率的变化，自适应调整延时单元中接入整个延时线芯片电容大小，从而补偿实际电路中电感的电感量随频率增加而变大的特性，抑制延时线工作频率偏移，显著提升了延时线的工作带宽。
一种宽带数控延时

[发明专利]一种高温度稳定性的射频功率放大器-CN202310618237.5有效
发明人： 姚静石;龚海波;苏黎明 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高温度稳定性的射频功率放大器；通过在射频放大单元的基础上增设功率补偿单元补偿射频放大单元晶体管Q6b的基极与发射极之间的电压差，抑制了射频功率放大器的线性度，实现了跨导恒定；增设第一温度补偿单元补偿第一温度补偿单元在偏置条件下的功率输出特性，向第二温度补偿单元输出补偿后的电流；增设第二温度补偿单元根据生成的第三电流调节晶体管Q6b的基极电流，抑制晶体管Q6b的基极电流增大；抑制了射频功率放大器输出1dB压缩点随温度变化而产生的波动。
一种温度稳定性射频功率放大器

[发明专利]基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法-CN202310487052.5有效
发明人：龚海波;彭钊;姚静石 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法，建立仿真热模型并进行简化，省略掉集成电路结构模型并简化为发热晶体管区域的面积热源；基于仿真热模型导出发热晶体管区域芯片表面温度云图、芯片表面结温值；在测试平台上对芯片进行测试，使用高倍红外热成像仪检测并得到晶体管区域芯片温度场分布，导出集成电路芯片表面温度云图，得到芯片表面结温值；根据上述的芯片表面结温值得到仿真热模型的校正系数K，实现对仿真热模型校正。本发明在产品设计初期即可以得出产品相应工况的结温较高准确值，提高产品散热评估准确性。
基于高倍红外成像集成电路芯片仿真校正方法

[发明专利]一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法-CN202310227851.9有效
发明人：宋垠;彭钊;龚海波;姚静石 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体地说，涉及一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法；首先通过进行初步电路设计，在热模型中设置散热影响要素的参数进行仿真分析，计算出初始的晶体管结温和热源热影响区域范围；然后改变散热影响要素的参数，得到新的晶体管结温；最后对比晶体管结温，判断放大器芯片散热指标是否合格；若不合格，重复调整散热影响要素的参数，直至放大器芯片散热指标合格，得到散热影响要素优化后的参数；实现了放大器芯片晶体管电路结构的优化设计，改善了功率放大器芯片的散热能力，提高了芯片的高温工作性能指标和芯片长期工作的可靠性。
一种提高放大器芯片散热性能晶体管电路优化方法

[发明专利]一种HBT功率放大器和电子设备-CN202310274518.3有效
发明人： 姚静石;龚海波;陈阳平;苏黎明 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种HBT功率放大器和电子设备，涉及射频前端技术领域。该HBT功率放大器在传统HBT功率放大器基础上，在自适应偏置结构上增加温度补偿单元。温度补偿单元中的二极管单元的导通电压随温度增加而不断降低，使加载偏置结构的电压变化随温度增加而增加，最终补偿HBT晶体管Q1b增益随温度变化的变化率。可以显著降低高低温状态下随着环境温度的变化HBT功率放大器的增益波动。
一种 hbt 功率放大器电子设备

[发明专利]偏置电路、功率放大器和电子设备-CN202310160114.1有效
发明人：费新哲;龚海波;姚静石;陈阳平 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本申请提供一种偏置电路、功率放大器和电子设备，所述偏置电路用于向功率放大器提供偏置电流，包括：输入电流支路，与供电电源连接，所述输入电流支路用于根据所述供电电源产生第一电流；输出电流支路，与所述输入电流支路连接，用于根据所述第一电流输出偏置电流；偏置电流补偿单元，与所述输入电流支路及所述供电电源连接，所述偏置电流补偿单元，用于调节所述第一电流，以保证在所述供电电源波动时，所述偏置电流保持不变。通过上述方案，保证功率放大器中的射频晶体管电性能不会因供电电源输入的偏置电压的波动发生较大变化。
偏置电路功率放大器电子设备

[发明专利]一种Doherty功率放大器-CN202310109343.0有效
发明人： 姚静石;龚海波;张曳 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种Doherty功率放大器；在第一功放单元和第二功放单元的基础上增加频率检测单元、补偿单元；通过设置频率检测单元，根据输入的第三信号生成控制信号；通过设置补偿单元，根据控制信号控制射频开关的导通和关断，在第二功放单元未开启状态时，增大第二功放单元的输出阻抗值，抑制所述第一信号的输出功率泄露，明显提升了Doherty功率放大器的工作带宽，通过设置功分单元，将输入信号进行功率分配的同时，根据频率的变化，调节进入第一功放单元支路和第二功放单元支路信号的功率比，补偿由于工作频率变化，第二功放单元输入阻抗随之变化导致的第二功放单元支路增益变化。
一种 doherty 功率放大器

[发明专利]一种放大器芯片输出电路、供电方法、芯片及电子设备-CN202310091816.9有效
发明人：费新哲;龚海波;陈阳平;姚静石 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片布局领域，具体地说，涉及一种放大器芯片输出电路、供电方法、芯片及电子设备；通过在第一金属层上布设输出匹配电路，实现阻抗变换和功率合成；在放大器芯片的第二金属层上布设输出供电电路，将扼流线圈的输入端与电源耦合，输出端与末级放大器的集电极耦合，用于向所述放大器芯片末级管芯供电；大幅提升了供电扼流线圈的通流能力，避免供电扼流线圈在大信号工况以及耐功率实验测试时烧毁的情况；同时能够有效减小功率放大器芯片的面积，提高芯片面积的利用率。
一种放大器芯片输出电路供电方法电子设备

[发明专利]一种适用于5G系统的高线性功率放大器-CN202310050283.X有效
发明人： 姚静石;龚海波;文熙勇 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于5G系统的高线性功率放大器，包括射频放大单元、自适应偏置单元、偏置电压检测单元和低包络阻抗单元。射频放大单元包括若干个级联的放大电路，末级的放大电路的HBT晶体管Qn的集电极与输出匹配网络连接，且基极通过电阻Rm+1与末级的自适应偏置电路连接；偏置电压检测单元的一端设置在电阻Rm+1与末级的自适应偏置电路之间，且另一端与低包络阻抗单元连接，低包络阻抗单元与HBT晶体管Qn的基极连接。由于低包络阻抗单元具备选频特性，在功率放大器工作频率恒定呈现高组态，在基带频率为放大器末级放大管输入端提供可控的低阻包络频率到地通路，从而抑制记忆效应对线性功率放大器线性度的不良影响。
一种适用于系统线性功率放大器

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