[发明专利]一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器有效
申请号: | 202111157286.0 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN113595518B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 刘成鹏;姚静石 | 申请(专利权)人: | 成都明夷电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52;H03F3/193;H03F3/21 |
代理公司: | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 尹新路 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自适应 可靠性 hbt 线性 功率放大器 | ||
1.一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器,用于正交频分复用OFDM应用中进行功率放大,其特征在于,包括基础HBT线性功率放大器单元、功率检测及控制单元和模拟电源开关单元;
所述基础HBT线性功率放大器单元包括驱动级放大器AMP1b、驱动级放大器AMP2b和末级放大器AMP3b;所述驱动级放大器AMP1b、驱动级放大器AMP2b和末级放大器AMP3b依次连接,所述驱动级放大器AMP1b的输入端为用于输入信号的信号输入端IN1b;所述末级放大器AMP3b的输出端为用于输出信号的信号输出端OUT1b;
所述模拟电源开关单元包括分别对应连接在驱动级放大器AMP1b、驱动级放大器AMP2b和末级放大器AMP3b的电源端的第一模拟电源开关器、第二模拟电源开关器和第三模拟电源开关器;
所述功率检测及控制单元的检测输入端连接在所述信号输入端IN1b上,功率检测及控制单元的控制输出端分别与所述第一模拟电源开关器的控制端、第二模拟电源开关器的控制端和第三模拟电源开关器的控制端连接。
2.如权利要求1所述的一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器,其特征在于,所述功率检测及控制单元包括耦合器Coupler1b、电阻R1b、电阻R2b、电阻R3b、电阻R4b、电阻R5b、电阻R6b、二极管D1b、电容C1b、运算放大器OPA1b;
所述电阻R3b的输出端连接二极管D1b后通过二极管D1b的输入端连接运算放大器OPA1b的反向输入端;
所述电阻R1b连接数字电源VDD1b后连接在所述电阻R3b的输入端,所述电阻R2b接地后搭接在所述电阻R1b、电阻R3b之间;
所述电容C1b接地后搭接在所述二极管D1b和运算放大器OPA1b的反向输入端之间;
所述耦合器Coupler1b搭接在所述信号输入端IN1b上后再搭接在所述电阻R3b和二极管D1b之间;
所述电阻R4b连接数字电源VDD2b后连接在所述运算放大器OPA1b的正向输入端上,所述电阻R5b接地后连接在所述运算放大器OPA1b的正向输入端上;
所述运算放大器OPA1b的输出端分别与所述第一模拟电源开关器的控制端、第二模拟电源开关器的控制端和第三模拟电源开关器的控制端连接;所述电阻R6b接地后搭接在所述运算放大器OPA1b的输出端上。
3.如权利要求2所述的一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器,其特征在于,所述第一模拟电源开关器包括PHEMT晶体管M1b和电阻R7b;
所述PHEMT晶体管M1b的漏极连接模拟电源VCC1b,源极连接驱动级放大器AMP1b的电源端,栅极连接电阻R7b;
所述电阻R7b与运算放大器OPA1b的输出端连接。
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