[发明专利]一种声表面滤波器的封装结构在审
| 申请号： | 202111157046.0 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113922783A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 钟慧;刘旻俊;霍振选;刘湉隽;李天年;王华磊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H9/05 | 分类号： | H03H9/05;H03H9/10;H03H9/64 |
| 代理公司： | 成都智言知识产权代理有限公司 51282 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 滤波器 封装 结构 | ||
1.一种声表面滤波器的封装结构，包括基板(1)，所述基板(1)的顶部设置有叉指换能器(3)与叉指电极(2)，其特征在于，所述基板(1)的顶部固定设置有光刻胶侧壁(4)，所述光刻胶侧壁(4)的顶部固定设置有盖帽层(5)，所述光刻胶侧壁(4)与所述盖帽层(5)形成空腔，所述叉指换能器(3)、叉指电极(2)置于所述空腔内部。
2.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述光刻胶侧壁(4)的材质为PI胶。
3.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述盖帽层(5)的材质为陶瓷。
4.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述盖帽层(5)与所述光刻胶侧壁(4)的固定方式为键合。
5.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述PI胶的涂覆高度为150μm-300μm。
6.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述PI胶的固化温度为130℃-160℃。
7.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述盖帽层(5)的热膨胀系数为2*10-6/℃～20*10-6/℃。
8.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述基板(1)的材质为42°切的钽酸锂。
9.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构，其特征在于，所述基板(1)的底部设置有通孔，所述通孔用于叉指电极(2)与外部引线连接。
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