[发明专利]有机半导体基板在审

申请号：	202111139717.0	申请日：	2021-09-28
公开（公告）号：	CN113889576A	公开（公告）日：	2022-01-04
发明（设计）人：	孙硕阳;许世华;陈敬文;赖颖辉	申请（专利权）人：	友达光电股份有限公司
主分类号：	H01L51/10	分类号：	H01L51/10;H01L51/05
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	聂慧荃;郑特强
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	有机半导体
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【说明书】：

本发明提出一种有机半导体基板。有机半导体基板包括基底、第一导电图案、第二导电图案、第一金属氧化物图案、第二金属氧化物图案、有机平坦图案层、源极、漏极、有机半导体图案、有机栅绝缘层及栅极。第一导电图案及第二导电图案设置于基底上且彼此分离。第一金属氧化物图案及第二金属氧化物图案分别覆盖且分别电性连接至第一导电图案及第二导电图案。有机平坦图案层的第一部设置于第一金属氧化物图案与第二金属氧化物图案之间。第一金属氧化物图案的表面与基底具有第一距离。有机平坦图案层的第一部的表面与基底具有第二距离。第二距离小于或等于第一距离。

技术领域

本发明涉及一种半导体基板，尤其涉及一种有机半导体基板。

背景技术

由于有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistor，OTFT)具轻薄、可挠性(Flexibility)、工艺温度低等优点与特性，因此已广泛地应用于诸如液晶显示器、有机发光显示器、电泳显示器等显示装置中。基于改善有机薄膜晶体管的电性的考虑，会先制作一有机平坦层，然后，才于有机平坦层上形成有机半导体图案，并使有机半导体图案电性连接至位于有机平坦层上的源极与漏极。一般而言，源极与漏极会分别通过有机平坦层的多个接触窗电性连接至位于有机平坦层下的多个导电图案。有机平坦层需具备相当的厚度才能于其中形成接触窗。然而，有机平坦层的材料贵，有机平坦层的厚度越厚时，有机薄膜晶体管的制造成本也越高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制造成本低的有机半导体基板。

本发明的一实施例的有机半导体基板包括基底、第一导电图案、第二导电图案、第一金属氧化物图案、第二金属氧化物图案、有机平坦图案层、源极、漏极、有机半导体图案、有机栅绝缘层及栅极。第一导电图案及第二导电图案设置于基底上，且彼此分离。第一金属氧化物图案及第二金属氧化物图案分别覆盖第一导电图案及第二导电图案，且分别电性连接至第一导电图案及第二导电图案。有机平坦图案层具有第一部。有机平坦图案层的第一部设置于第一金属氧化物图案与第二金属氧化物图案之间。第一金属氧化物图案具有背向基底的表面。第一金属氧化物图案的表面与基底具有第一距离。有机平坦图案层的第一部具有背向基底的表面。有机平坦图案层的第一部的表面与基底具有第二距离。第二距离小于或等于第一距离。

附图说明

图1A至图1K为本发明一实施例的有机半导体基板的制造流程的俯视示意图。

图2A至图2K为本发明一实施例的有机半导体基板的制造流程的剖面示意图。

图3为本发明一实施例的有机半导体基板的剖面示意图。

图4为本发明一实施例的有机半导体基板的剖面示意图。

图5为本发明一实施例的有机半导体基板的剖面示意图。

附图标记如下：

10、10A:有机半导体基板

110:基底

120:缓冲层

130:第一导电图案层

132:第一导电图案