[发明专利]提高单晶光伏组串虚焊识别率的方法在审
申请号: | 202111134330.6 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN113921411A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 陆鸣雷;徐清国;李红波;郝国强;袁晓;柳翠;叶晓军 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;H01L21/67;G06T7/00;G06T7/136 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 李鸿儒 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 单晶光伏组串虚焊 识别率 方法 | ||
本发明公开了提高单面单晶光伏组串虚焊识别率的方法,包括S1、相机及拍摄环境校准:以图像灰度量化为检测依据,在流水线生产开始前,导入标准首件对EL测试相机和测试环境进行检查,达到无明显漏光、无失焦、无过度曝光、无光晕要求;S2、单晶光伏组件虚焊识别:识别待检组件后,先以偏置电流I1进行EL测试获得EL测试图Φ1,然后以偏置电流I2进行EL测试获得EL测试图Φ2,结合两次测试结果值得到ΔΦ(i),并定义概念偏离度百分比S(i),根据判断阈值X与S(i)之间的差值大小与分布关系判断是正面虚焊还是背面虚焊。该改进是基于传统EL测试方法提出的技术改进,无需对EL硬件设备进行大规模更替,改进成本低,易于推广应用。
技术领域
本发明属于单晶光伏图像识别检测技术领域,特别涉及一种提高单面单晶光伏组串虚焊识别率的方法。
背景技术
电致发光(Electrical Luminance,EL)广泛应用于半导体照明领域内,利用该项技术,可对太阳能电池生产缺陷进行检测。在适当的正向偏置电压下,硅片电池的势垒区内建电场减弱,非平衡载流子的复合概率增加,电池片发出800~1300nm波长的近红外光,可以被CCD相机所捕获。通过对EL图像进行判断,可以无损筛查大部分硅片电池所存在的缺陷情况,是光伏组件生产质控的常用手段。
串焊工序是光伏组件制造过程中的第一步,也是核心一步。随着自动化水平的提高,国内的生产车间将串焊叠层工序逐步实现自动化生产,在生产过程中,电池组串背面由于串焊机器的不稳定会发生虚焊等现象。存在虚焊现象的组件在电站服役过程中更容易发生局部发热现象,导致组件在使用期内效率衰减现象严重,应当在生产环节进行质量卡控。
现有操作中,工厂产线通常设置层压前EL测试、层压后目测、层压后EL和IV检测三个工序点检查组件质量,三个环节中均需要安排人工进行判断,在光伏组件生产流程中的位置如图1所示。
由于单块电池片的输出电压有限,为了提高组件的输出电压,需要将电池片用焊条前后串联连接。自动化串焊机能够通过PL技术前期分选电池片,定量控制加热底板的温度梯度与焊接温度值,充分发挥机械化生产的高效化和智能化的特点。串焊完成后,先通过人工目检或摄像机图像识别的方法判定正面串焊质量,对于背面串焊情况的判定,一些工厂会要求敷设工位的工作人员在完成敷设前,对背面焊接情况进行确认,但由于不是专职进行该项监测,且没有奖励措施补充,检出率不尽人意。
为了改进上述缺陷,一般通过抽样进行电池片-焊带拉力测试,实现监控以及层压前EL测试工位进行全检。然而电池片-焊带拉力测试具有破坏性,只能周期性地对焊接质量进行监控,对机器偶发的不稳定引发的虚焊现象不能准确检出。
对于背面虚焊的工艺缺陷,在单面发电组件的制造工序中,只能通过EL测试方法进行筛选,而传统的EL检测方法对大面积组件获得的测试图像由于距离与背景因素的干扰,边缘处电池串的虚焊现象并不显著,人工识别率低。对于组件EL测试而言,由于组件样品尺寸相对于单片电池较大,每片电池到相机镜头的距离不尽相同,导致在EL成像过程中,EL强度与距离平方的倒数成正比,影响最终成图效果,相机所对的中央位置亮,边缘位置暗,影响人工对虚焊现象的判读。
发明内容
本发明是为解决上述技术问题进行的,针对工厂生产线的特点进行设计,通过量化分析电池片在两次不同偏置电压或电流的EL图像灰度差异,提出一种计算识别背面虚焊的方法,提高层压前EL测试岗位的缺陷筛查率,确保最终产品质量稳定。基于上述目标,本发明的技术方案如下:
本发明的第一方面,提供了一种提高单面单晶光伏组串虚焊识别率的方法,主体步骤如下:
S1、相机及拍摄环境校准
以图像亮度量化为检测依据,在流水线生产开始前,导入标准首件对EL测试相机和测试环境进行检查,达到无明显漏光、无失焦、无过度曝光、无光晕要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造