[发明专利]一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法

权利要求书

1.一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、测量待返工器件的多晶硅层厚度，测得厚度值为T₁；

S2、根据多晶硅腐蚀速率，计算多晶硅层腐蚀时间，所述多晶硅层腐蚀时间t₁=T₁*1.3/多晶硅腐蚀速率；

S3、多晶硅层腐蚀

将步骤S1中已测量多晶硅层厚度的器件放入盛有29%氨水的容器槽内，反应t₁时间后，取出，对器件表面残余酸液进行清洗；

S4、对栅氧层的厚度进行测量，测得的厚度为T₂；

S5、计算栅氧层腐蚀时间；栅氧层腐蚀时间t₂=T₂/SiO₂腐蚀速率；

S6、将器件放入20:1的BOE腐蚀液中，腐蚀时间为t₂，去除剩余栅氧层。

2.根据权利要求1所述的一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法，其特征在于，步骤S2中所述多晶硅腐蚀速度测算包括以下步骤：

S2.1、选取一片多晶硅监控片；

S2.2、用膜厚仪测试步骤S2.1中多晶硅监控片的实际厚度值为A；

S2.3、将测量后的多晶硅监控片放入29%氨水容器槽中腐蚀1min；

S2.4、冲水甩干，用膜厚仪测试其厚度值为B；

S2.5、通过公式E/R=（A-B）/1min计算出腐蚀速率。

3.根据权利要求1所述的一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法，其特征在于，步骤S5中所述SiO₂腐蚀速率计算方法为：

S5.1、取一片SiO₂监控片，用膜厚测试仪测其厚度值为A1；

S5.2、放置到20:1 的BOE腐蚀液中腐蚀3min，冲水甩干，用膜厚测试仪测其厚度值为B1；

S5.3、通过计算，SiO₂腐蚀速率=（A1-B1）/3min，获得SiO₂腐蚀速率数值。