[发明专利]混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法在审
申请号: | 202111128166.8 | 申请日: | 2021-09-26 |
公开(公告)号: | CN113823702A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 胡伟达;吴培松;王鹏;李庆;张莉丽;王芳;谢润章;苗金水;王振;贺婷;付晓;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/032;H01L31/11;H01L31/18;G01J5/10 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 维度 范德华异质结 室温 红外探测器 制备 方法 | ||
1.一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器,其特征在于:
在三维薄膜光敏材料衬底(1)上是二氧化硅绝缘层(2)、在二氧化硅绝缘层(2)上转移有第一种二维范德华材料(3),第一种二维范德华材料上转移有第二种二维范德华材料(4),在第一种二维范德华材料(3)和第二种二维范德华材料(4)分别由源或漏电极(5),并保证每个电极有部分裸露在外;
所述的三维薄膜光敏材料衬底(1)是P型Si衬底;
所述的二氧化硅绝缘氧化层(2)厚度是260nm;
所述的第一种二维范德华材料(3)为n型二硫化钼;
所述的第二种二维范德华材料(4)为p型黑磷;
所述的源或漏电极(5)是金属铬Cr和金Au复合电极,厚度分别是5-15nm和30-50nm。
2.一种制备如权利要求1所述的一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器的方法,其特征在于方法如下:
器件的制备是利用一定比例的氢氟酸和氟化铵制备的缓冲氧化物刻蚀液刻蚀双面抛光的Si/SiO2,形成Si窗口,利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP或NPN异质结构。利用该光刻胶作为掩膜版,是用热蒸发在上面沉积金属铬作为电极,利用光电三极管能带结构实现双波段红外信号探测,同时利用Si材料高吸光率作为近红外光敏材料和长波通滤波片来降低串扰,提升器件双波段红外响应,制备成室温高性能双色红外探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的