[发明专利]阵列基板及显示面板在审
| 申请号: | 202111127014.6 | 申请日: | 2021-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN113871402A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 张立志;康报虹 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张海燕 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请属于显示技术领域,提供了一种阵列基板及显示面板,阵列基板包括第一衬底和第一金属层,第一金属层设于第一衬底上,第一金属层包括金属垫,金属垫为实心结构,在金属垫上设有第一隔垫物,第一隔垫物的正投影面积小于金属垫的正投影面积;显示面板包括阵列基板和彩膜基板,彩膜基板与阵列基板层叠粘接。本申请提供的阵列基板采用了实心结构的金属垫与第一隔垫物配合,通过将第一隔垫物设置在正投影面积较大的金属垫上,使得在进行隔垫物套刻误差测量时能够容易准确地找出第一隔垫物的边界,从而解决了传统的隔垫物套刻误差测量方法应用在POA设计上错误率很高的技术问题,有利于提升在POA设计上隔垫物套刻误差测量的准确率。
技术领域
本申请属于显示技术领域,更具体地说,是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
目前,显示面板完成制作后需要对隔垫物(Post spacer,简称PS)进行套刻误差(Overlay)测量,通过测量隔垫物正投影的大小和位置来判断隔垫物的大小和偏移量。
传统的隔垫物套刻误差测量方法,是以隔垫物设置在彩膜基板上为基础设计的,即柱状隔垫物是设置在彩膜基板上,并且位于黑色矩阵(Black Matrix,简称BM)形成的回字形框的中间,然后获取多个检测点(test mark)的正投影图像,虽然该图像中,黑色矩阵、隔垫物及黑色矩阵和隔垫物之间的空隙都是暗色的,但是由于暗色灰阶不同,可以通过调整光照的参数来找到隔垫物的边界,从而测量出隔垫物的大小和偏移量。然而,目前大部分的显示面板采用POA(PS on Array,隔垫物设置在阵列基板上)设计,即隔垫物设置在阵列基板上,并且位于第一金属(M1)形成的回字形框的中间,第一金属的强反光会导致隔垫物与隔垫物和第一金属之间空隙的暗色无法明显区分,即使调整光照参数也难以准确找到隔垫物的边界,造成隔垫物套刻误差测量的错误率很高。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板及显示面板,其包括但不限于解决传统的隔垫物套刻误差测量方法应用在POA设计上错误率很高的技术问题。
本申请是这样实现的,提供了一种阵列基板,包括第一衬底和第一金属层,所述第一金属层设于所述第一衬底上,所述第一金属层包括金属垫,所述金属垫为实心结构,在所述金属垫上设有第一隔垫物,所述第一隔垫物的正投影面积小于所述金属垫的正投影面积。
该阵列基板采用了实心结构的金属垫与第一隔垫物配合,通过将第一隔垫物设置在正投影面积较大的金属垫上,使得在进行隔垫物套刻误差测量时能够容易、准确地找出第一隔垫物的边界,从而有效地解决了传统的隔垫物套刻误差测量方法应用在POA设计上错误率很高的技术问题,有利于提升在POA设计上隔垫物套刻误差测量的准确率。
在一个实施例中,所述阵列基板还包括多个显示区域、非显示区域和第二隔垫物,所述非显示区域围绕多个所述显示区域设置,所述第二隔垫物位于所述显示区域内,所述第一隔垫物和所述金属垫位于所述非显示区域内。
从而有利于在灰度分布图上快速、准确地找到第一隔垫物边界,使得隔垫物套刻误差测量更加容易和准确。
在一个实施例中,所述第一金属层包括多个所述金属垫,多个所述金属垫沿所述第一衬底的边缘间隔设置,并环绕于多个所述显示区域的外围。
从而有利于快速找出作为检测标记的金属垫和第一隔垫物,使得隔垫物套刻误差测量更加容易和准确。
在一个实施例中,所述阵列基板还包括显示区域、非显示区域、虚拟像素区域和第二隔垫物,所述非显示区域围绕所述显示区域设置,所述虚拟像素区域设于所述显示区域和所述非显示区域之间,所述第二隔垫物位于所述显示区域内,所述第一隔垫物和所述金属垫位于所述虚拟像素区域内。
有利于快速找出作为检测标记的金属垫和第一隔垫物,使得隔垫物套刻误差测量更加容易和准确。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





