[发明专利]一种电容器阵列结构、及其制造方法及半导体存储器件

权利要求书

1.一种电容器阵列结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并于所述衬底上形成交替叠置的牺牲层及支撑层；

在覆盖所述衬底的结构上形成电容孔；

于所述电容孔内形成电容单元结构；

在电容孔内形成电容单元结构之后通入硅源气体，于电容单元结构的表面形成晶种粒度；

采用特气加倍或多倍的方式通入硅源气体、硼源气体、锗源气体进行反应以形成多晶种粒度，多晶种粒度在电容孔内扩散成膜以形成导电填充结构。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，于所述电容孔内形成电容单元结构包括:

在所述电容孔的内壁形成第一电极层；

在所述交替叠置的牺牲层及支撑层上形成于支撑层上的至少一个开口，以打开所述支撑层，并基于所述开口去除所述牺牲层；

于去除所述牺牲层得到的结构表面形成介质层，并于所述介质层的表面形成第二电极层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

形成的一个所述开口仅与一个所述电容孔交叠，或者一个开口同时与多个所述电容孔交叠。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底表面形成刻蚀停止层，所述交替叠置的牺牲层及支撑层形成于刻蚀停止层的表面。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述锗源气体包括GeH₄或Ge₂H₆中的至少一种，所述硅源气体包括SiH₄、Si₂H₆或SiH₆Cl中的至少一种，所述硼源气体包括BCl₃或B₂H₆中的至少一种。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

在电容孔内形成电容单元结构之后通入硅源气体，于电容单元结构的表面形成晶种粒度包括：

通入的硅源气体在第一反应条件下反应10～30分钟，其中SiH₄气体的流量为:200标况毫升每分～300标况毫升每分。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，通入的硅源气体在第一反应条件下反应10～30分钟包括：

反应温度为360℃～410℃、进行反应的压力小于1托。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

采用特气加倍或多倍的方式通入硅源气体、硼源气体、锗源气体进行反应以形成多晶种粒度包括：

通入的硅源气体、硼源气体、锗源气体在第二反应条件下反应10～40分钟，其中SiH₄气体的流量为:300标况毫升每分-700标况毫升每分、GeH₄气体的流量为:850标况毫升每分-1300标况毫升每分、BCL₃气体的流量为:50标况毫升每分-200标况毫升每分。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，通入的硅源气体、硼源气体、锗源气体在第二反应条件下反应10～40分钟包括：

反应温度为360℃～410℃、进行反应的压力在1-3托。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，

在所述导电填充结构的表面形成保护层，其中，所述保护层的材料包含硼、锗掺杂的多晶硅。