[发明专利]以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 202111117833.2 | 申请日: | 2021-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN113707810A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 宋嘉兴;李在房;王冠男;尹新星;苏振;胡林;金英芝 | 申请(专利权)人: | 嘉兴学院 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 戚正云 |
| 地址: | 314000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | auncs 掺杂 pedot pss 空穴 传输 含锡钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池,其特征是:包括依次层叠设置的阳极基底、空穴传输层、含锡钙钛矿活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极层;所述空穴传输层由AuNCs掺杂PEDOT:PSS材料制备而成。
2.根据权利要求1所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池,其特征是:所述阳极基底采用铟锡氧化物玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池,其特征是:所述含锡钙钛矿活性层为含有金属锡的所有有机-无机杂化钙钛矿或者无机钙钛矿,活性层厚度为600-800nm。
4.根据权利要求1所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池,其特征是:所述电子传输层为PCBM或C60,所述电子传输层厚度为20-30nm。
5.根据权利要求1所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池,其特征是:所述空穴阻挡层为BCP,所述空穴阻挡层厚度为5-8nm。
6.根据权利要求1所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池,其特征是:所述阴极层为Ag或Cu,所述阴极层厚度为70-90nm。
7.一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征是:包括如下步骤:
步骤一、清洗阳极基底,并对所述阳极基底的阳极层表面进行表面处理;
步骤二、在经过步骤一表面处理过的所述阳极层表面依次旋涂空穴传输层、含锡钙钛矿活性层;所述空穴传输层由AuNCs与PEDOT:PSS掺杂而成;
步骤三、在步骤二所述的含锡钙钛矿活性层表面依次蒸镀电子传输层、空穴阻挡层以及阴极层。
8.根据权利要求7所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征是:步骤一中,所述阳极基底处理包括:首先依次用ITO玻璃清洗剂、去离子水、丙酮、异丙醇各超声清洗15-30分钟;随后用氮气吹干阳极基底;最后用Plasma清洗机对阳极基底表面进行5-10分钟的表面等离子体处理。
9.根据权利要求7所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征是:步骤二中,所述空穴传输层的旋涂过程为:将AuNCs溶液掺杂于PEDOT:PSS溶液中,其中AuNCs溶液质量百分比为0.5%-2%,混合溶液搅拌一段时间充分混合均匀后,以3500-5000rpm转速旋涂在上述处理过的阳极基底表面上,时间为35-50秒;将旋涂完的阳极基底进行退火处理,温度为130-150℃,时间为15-20分钟。
10.根据权利要求7所述的一种以AuNCs掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的含锡钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征是:步骤二中,所述含锡钙钛矿活性层是通过两步旋涂过程沉积的:其中第一步:500-1000rpm转速运行5-10秒,第二步:4000-5000rpm转速运行30-50秒,第二步旋涂结束前10-20秒时在旋转基底上滴入100-300μL乙酸乙酯,随后进行退火处理,温度为90-110℃,时间为5-20分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴学院,未经嘉兴学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111117833.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新能源汽车充电系统
- 下一篇:一种去除环氧化反应体系中铁离子的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





