[发明专利]用于体声波谐振器封装的方法有效

专利信息
申请号: 202111110278.0 申请日: 2021-09-23
公开(公告)号: CN113572447B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳新声半导体有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/10
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 陶俊洁
地址: 518109 广东省深圳市龙华区民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 声波 谐振器 封装 方法
【说明书】:

本申请涉及体声波谐振器技术领域,公开一种用于体声波谐振器封装的方法,包括:提供待移除层,在待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层;在牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层,第一凸起和第二凸起均穿过牺牲层连接谐振结构;截止边界层远离牺牲层的一侧形成谐振载体;移除待移除层;对谐振结构远离牺牲层的一侧进行刻蚀,并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层;腐蚀第一凸起、第二凸起及谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔;在谐振结构上封装谐振器盖体,并在谐振器盖体上设置焊锡球。这样,便于体声波谐振器的制作,对这种方法制做出的谐振结构、谐振载体等进行封装,也十分方便。

技术领域

本申请涉及体声波谐振器技术领域,例如涉及一种用于体声波谐振器封装的方法。

背景技术

目前,传统的薄膜体声波谐振器结构包括上电极、压电层和下电极,通常先在衬底上刻蚀出谐振器的空腔,再在空腔上制作下电极、压电层、上电极等,以至形成完整的谐振器。

在实现本发明实施例的过程中,发现相关技术中至少存在如下问题:

现有的谐振器一定要先在衬底上刻蚀出空腔,然后在衬底的基础上从下至上制作谐振结构、谐振器盖体等,而受衬底、空腔和制作顺序的限制,谐振器的制作及封装较为不便。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。

本发明实施例提供了一种用于体声波谐振器封装的方法,以便于体声波谐振器的制作及封装。

在一些实施例中,用于体声波谐振器封装的方法,包括:提供待移除层,在所述待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层;在所述牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层,所述第一凸起和所述第二凸起均穿过所述牺牲层连接所述谐振结构;在所述截止边界层远离所述牺牲层的一侧形成谐振载体;移除所述待移除层;对所述谐振结构远离所述牺牲层的一侧进行刻蚀,并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层;腐蚀所述第一凸起、所述第二凸起及所述谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔;在所述谐振结构上封装谐振器盖体,并在所述谐振器盖体上设置焊锡球。

本发明实施例提供的用于体声波谐振器封装的方法,可以实现以下技术效果:通过先在谐振结构的一侧制作牺牲层、截止边界层、谐振载体,再在谐振结构的另一侧制作导通层,然后在导通层制作完成后通过腐蚀牺牲层形成第一空腔,最后封装谐振盖体。这样,能够对体声波谐振器进行双面制作,使得制作工艺更加灵活,且不需要在形成有空腔的衬底上制作谐振结构,从而便于体声波谐振器的制作,对这种方法制做出的谐振结构、谐振载体等进行封装,也十分方便。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明,这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件,附图不构成比例限制,并且其中:

图1是本发明实施例提供的一个用于体声波谐振器封装的方法的示意图;

图2是本发明实施例提供的一个待移除层的结构示意图;

图3是本发明实施例提供的一个在待移除层上,从下往上依次淀积氮化铝层、上电极层、压电层、下电极层后的结构示意图;

图4是本发明实施例提供的一个在下电极层沉积并刻蚀下电极边缘凸点层后的结构示意图;

图5是本发明实施例提供的一个在下电极边缘凸点层沉积钝化层后的结构示意图;

图6是本发明实施例提供的一个对钝化层、下电极边缘凸点层、下电极层进行刻蚀后的结构示意图;

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