[发明专利]一种高亮度高可靠性的Micro-LED显示装置

权利要求书

1.一种高亮度高可靠性的Micro-LED显示装置，通过阵列式排布的若干像素单元实现显示，其特征在于：包括上下设置的双层布线承载基板和TFT背板，每一像素单元具有分立的Micro-LED芯片和第一晶体管，Micro-LED芯片和第一晶体管设于双层布线承载基板之上，且Micro-LED芯片的电极和第一晶体管的电极分别焊接于双层布线承载基板上；TFT背板上表面对应每一像素单元设有TFT单元；双层布线承载基板对应每一像素单元设有导电过孔，每一TFT单元与对应像素单元的第一晶体管通过所述导电过孔电连接；所述TFT单元用于选通对应的像素单元，所述第一晶体管用于为对应的像素单元内Micro-LED芯片进行供电。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述双层布线承载基板设有VDD布线和GND布线；所述Micro-LED芯片具有第一电极和第二电极，所述第一晶体管具有第一源极、第一漏极和第一栅极；所述第一电极与VDD布线电导通，所述第二电极与第一源极电导通，所述第一栅极与所述TFT单元电导通，所述第一漏极与GND布线电导通。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述双层布线承载基板上表面设有第一电极焊盘，第二电极焊盘，源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；所述Micro-LED芯片和第一晶体管倒装设于所述双层布线承载基板上面，且所述第一电极、第二电极、第一源极、第一漏极和第一栅极与所述第一电极焊盘、第二电极焊盘、源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘一一对应地焊接，所述栅极焊盘与所述导电过孔电导通。

4.根据权利要求2所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述TFT单元包括第二晶体管结构和电容结构，所述第二晶体管结构包括第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第二漏极通过所述导电过孔与所述第一栅极电连接；所述电容结构并联于所述第一栅极和第一漏极之间；所述TFT背板设有接地端，所述接地端与所述GND布线导通。

5.根据权利要求1所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述双层布线承载基板不透明。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述第一晶体管的顶面及侧壁表面包覆有遮光封装基质。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述Micro-LED芯片的上表面之外的表面、所述双层布线承载基板上表面和所述第一晶体管表面一体包覆有遮光封装基质。

8.根据权利要求1所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述Micro-LED芯片包括红光Micro-LED芯片、绿光Micro-LED芯片和蓝光Micro-LED芯片，对应的像素单元为红光像素单元、绿光像素单元和蓝光像素单元。

9.根据权利要求7所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述Micro-LED芯片均为蓝光Micro-LED芯片，部分蓝光Micro-LED芯片形成蓝光像素单元，另外部分蓝光Micro-LED芯片通过设置荧光转换层形成红光像素单元和绿光像素单元，所述遮光封装基质在蓝光Micro-LED芯片对应位置设置有凹槽，所述荧光转换层设置在所述凹槽内。

10.根据权利要求1所述的Micro-LED显示装置，其特征在于：所述Micro-LED芯片发出的光线向下出射，荧光转换层设于所述TFT背板的TFT单元之间，并与所述Micro-LED芯片垂直对准，所述双层布线承载基板和TFT背板均为透光材料，且双层布线承载基板和TFT背板之间填充透明粘合层。