[发明专利]抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光系统有效
申请号: | 202111101093.3 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113858034B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 熊超;段贤明 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/10;B24B37/34;B24B49/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 装置 检测 方法 系统 | ||
本申请提供了一种抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光系统。该抛光装置包括:壳体,具有容纳空间;抛光垫,位于容纳空间内,抛光垫的第一表面用于承载晶圆;靶盘,位于容纳空间内,靶盘包括本体和设置在本体的第二表面的多个研磨颗粒,第二表面朝向第一表面;图像采集设备,用于采集靶盘在非工作位置时的第二表面的图像。本申请的方案无需将靶盘进行拆卸,只需要通过图像采集设备采集到的图像即可检测研磨颗粒的情况,检测的过程比现有的方案更为简单,进而解决了现有技术中的检测靶盘上的研磨颗粒情况的方案较为复杂的问题。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种抛光装置、抛光装置的检测方法、抛光装置的检测装置和抛光系统。
背景技术
现有技术中,抛光装置一般包括抛光垫与靶盘等,其中,抛光垫用于承载待抛光的晶圆靶盘上设置有多个研磨颗粒(例如钻石),研磨颗粒用于调整抛光垫表面的粗糙度,以使得抛光垫表面的粗糙度较大,从而使得晶圆的抛光效果更好。研磨颗粒还可以去除抛光垫上的抛光产物,使得抛光工艺正常进行。
随着抛光时间的增加,靶盘上的研磨颗粒会逐渐损耗甚至脱落,这个时候会影响抛光垫对其上的晶圆的表面的处理效果,会影响抛光速率(研磨速率),而且掉落的研磨颗粒可能会划伤使晶圆而使得晶圆报废,所以,实时监控靶盘上的研磨颗粒情况是非常重要的。
目前,因为靶盘上设置研磨颗粒的表面朝下,其回归位置紧贴机台侧壁,难以观测其表面的研磨颗粒的情况,所以,监控靶盘上的研磨颗粒的方法还是只能把靶盘拆下来送检,这样就必须把机台停下来,过程较为复杂,且会影响晶圆的正常抛光,影响晶圆的生产效率。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种抛光装置、抛光装置的检测方法、抛光装置的检测装置和抛光系统,以解决现有技术中的检测靶盘上的研磨颗粒情况的方案较为复杂的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种抛光装置,包括:壳体,具有容纳空间;抛光垫,位于所述容纳空间内,所述抛光垫的第一表面用于承载晶圆;靶盘,位于所述容纳空间内,所述靶盘包括本体和设置在所述本体的第二表面的多个研磨颗粒,所述第二表面朝向所述第一表面,所述靶盘具有工作位置和非工作位置,在所述工作位置时,所述第二表面在所述第一表面上具有投影,在所述非工作位置时,所述第二表面在所述第一表面上不具有投影,且在所述容纳空间的内表面的第一区域上具有投影;图像采集设备,用于采集所述靶盘在非工作位置时的所述第二表面的图像。
进一步地,所述图像采集设备位于所述第一区域上。
进一步地,垂直于所述图像采集设备的镜头的中轴线的平面为预定平面,所述预定平面相对于所述第二表面倾斜设置。
进一步地,在所述靶盘处于所述非工作位置时,所述图像采集设备的镜头的中心与所述第二表面的中心的连线垂直于所述第二表面。
为了实现上述目的,根据本申请的另一个方面,提供了一种任一种抛光装置的检测方法,包括:获取抛光装置的靶盘的第二表面的图像,得到检测图像;根据所述检测图像,确定所述第二表面的研磨颗粒情况是否为正常情况,所述正常情况为满足抛光需求的所述研磨颗粒情况,所述研磨颗粒情况包括以下至少之一:所述研磨颗粒的掉落数量、无效研磨颗粒的数量,所述无效研磨颗粒为所述研磨颗粒的体积小于预定体积的所述研磨颗粒。
进一步地,根据所述检测图像,确定所述第二表面的研磨颗粒情况是否为正常情况,包括:获取标准图像,所述标准图像为研磨颗粒情况为所述正常情况时的所述第二表面的图像;对比所述标准图像和所述检测图像,确定所述第二表面的研磨颗粒情况是否为所述正常情况。
进一步地,对比所述标准图像和所述检测图像,确定所述第二表面的研磨颗粒情况是否为所述正常情况,包括:对比所述标准图像和所述检测图像,确定所述第二表面上的研磨颗粒的掉落数量;在所述掉落数量小于等于第一预定数量的情况下,确定所述第二表面的研磨颗粒情况为所述正常情况。
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